[實用新型]張應變鍺薄膜

有效

• 申請號: 201220679974.3
• 申請日: 2012-12-11
• 公開（公告）號: CN203055915U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 周志文
• 申請（專利權）人: 深圳信息職業技術學院
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 汪麗

1.一種張應變鍺薄膜，其特征在于，包括含Ge薄膜（1）、及覆蓋于所述含Ge薄膜（1）上、用于在壓應變弛豫的過程中將應變轉移給所述含Ge薄膜（1）、使所述含Ge薄膜（1）受到張應變的應變薄膜（2），其中，所述應變薄膜（2）的厚度大于所述含Ge薄膜（1）的厚度。

2.根據權利要求1所述的張應變鍺薄膜，其特征在于，所述張應變鍺薄膜還包括襯底（3），所述含Ge薄膜（1）覆蓋于所述襯底（3）上，所述應變薄膜（2）覆蓋于所述含Ge薄膜（1）上。

3.根據權利要求2所述的張應變鍺薄膜，其特征在于，所述襯底（3）包括硅襯底或者絕緣體上的硅襯底。

4.根據權利要求2或3所述的張應變鍺薄膜，其特征在于，所述襯底（3）上腐蝕形成有孔（4）。

5.根據權利要求4所述的張應變鍺薄膜，其特征在于，所述孔（4）為其深度等于所述襯底（3）厚度的通孔，所述應變薄膜（2）設于所述孔（4）內、且覆蓋在所述含Ge薄膜（1）上。

6.根據權利要求4所述的張應變鍺薄膜，其特征在于，所述襯底（3）包括Si基底（31）、覆蓋在所述Si基底（31）上的埋層SiO₂（32）、以及覆蓋在所述埋層SiO₂（32）上的頂層Si（33），所述孔（4）在所述Si基底（31）上形成、且所述孔（4）的深度等于所述Si基底（31）的厚度；所述含Ge薄膜（1）位于所述應變薄膜（2）和所述襯底（3）之間。

7.根據權利要求5或6所述的張應變鍺薄膜，其特征在于，所述孔（4）的底部的面積小于所述含Ge薄膜（1）的面積。

8.根據權利要求1所述的張應變鍺薄膜，其特征在于，所述含Ge薄膜（1）包括Ge單質層、Si_1-yGe_y合金層或者Ge_1-zSn_z合金層，其中，y=0.8～1，z=0～0.1。

9.根據權利要求8所述的張應變鍺薄膜，其特征在于，所述含Ge薄膜（1）的橫向尺度小于200微米，厚度介于5～1000納米。

10.根據權利要求1所述的張應變鍺薄膜，其特征在于，所述應變薄膜（2）包括氮化硅薄膜、碳化硅薄膜、碳氮化硅薄膜、氮化硼薄膜或者鎢薄膜。