[實用新型]一種大功率IGBT模塊封裝結構有效
| 申請號： | 201220679167.1 | 申請日： | 2012-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN203103275U | 公開（公告）日： | 2013-07-31 |
| 發明（設計）人： | 張朋;韓榮剛;于坤山 | 申請（專利權）人： | 國網智能電網研究院;國家電網公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/29;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京安博達知識產權代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐國文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 大功率 igbt 模塊 封裝 結構 | ||
一種大功率IGBT模塊封裝結構，其特征在于：所述結構包括底板、覆銅陶瓷基板、半導體芯片、功率電極、控制電極、凝膠層、環氧樹脂層和雙絞軟連線；所述底板、凝膠層和環氧樹脂層從下到上依次分布，所述覆銅陶瓷基板的上下表面分別與半導體芯片和底板焊接，所述覆銅陶瓷基板和半導體芯片均封裝在所述凝膠層內部，所述功率電極穿過環氧樹脂層和凝膠層與覆銅陶瓷基板相連，所述控制電極通過環氧樹脂層緊固，其通過雙絞軟連線與覆銅陶瓷基板的焊盤或直接與半導體芯片連接，所述環氧樹脂層的厚度5.0～20.0mm。
根據權利要求1所述的大功率IGBT模塊封裝結構，其特征在于：所述半導體芯片包括IGBT芯片和快恢復二極管FRD芯片。
根據權利要求1所述的大功率IGBT模塊封裝結構，其特征在于：所述功率電極截面為倒L型，其伸出IGBT模塊上部的彎折部分留有安裝孔。
根據權利要求2所述的大功率IGBT模塊封裝結構，其特征在于：所述功率電極的厚度為2.0～4.0mm，所述基板的厚度為4.0～8.0mm。
根據權利要求1所述的大功率IGBT模塊封裝結構，其特征在于：所述控制電極的厚度為1.0～2.0mm。
根據權利要求1所述的大功率IGBT模塊封裝結構，其特征在于：所述雙絞軟連線包括金屬導線和包裹在金屬導線外部的絕緣層，其在空間依次穿過環氧樹脂層和凝膠層和與覆銅陶瓷基板或半導體芯片焊接。
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