[實用新型]一種晶閘型二極管芯片

有效

• 申請號: 201220677255.8
• 申請日: 2012-12-06
• 公開（公告）號: CN202996841U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 鄧愛民;保愛林
• 申請（專利權）人: 紹興旭昌科技企業有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06
• 代理公司: 紹興市越興專利事務所 33220
• 代理人: 蔣衛東

1.一種晶閘型二極管芯片，其特征在于：包括長基區、覆蓋在長基區其中一個表面的陽極發射區、覆蓋在長基區另一個表面的短基區、以及覆蓋在短基區另一個表面的陰極發射區；其中，陽極發射區與長基區之間設有第一PN結，長基區和短基區之間設有第二PN結，短基區和陰極發射區之間設有第三PN結；所述晶閘型二極管芯片為臺面型，陽極發射區該端形成陽極凸臺，陰極發射區該端形成陰極凸臺，第一PN結、第二PN結和第三PN結均暴露在上述凸臺四周的側壁上；陽極凸臺頂面分為對稱的第一表面和第三表面，陰極凸臺的頂面分為對稱的第二表面和第四表面，其中第一表面和第三表面為階梯狀，其連接處形成陽極凸臺頂面臺階，第二表面和第四表面也為階梯狀，連接處形成陰極凸臺頂面臺階。

2.如權利要求1所述的一種晶閘型二極管芯片，其特征在于：上述陽極凸臺和陰極凸臺的頂面，包括頂面上兩個表面的連接處均覆蓋有金屬層。

3.如權利要求1或2所述的一種晶閘型二極管芯片，其特征在于：所述凸臺四周的側壁上還覆蓋有玻璃鈍化層。

4.如權利要求1所述的一種晶閘型二極管芯片，其特征在于：上述第一表面和第三表面之間的高度差，與第二表面和第四表面之間的高度差一致，均為3～10μm。

5.如權利要求1或4所述的一種晶閘型二極管芯片，其特征在于：第一表面到第二表面的距離，與第三表面到第四表面的距離一致。

6.如權利要求1所述的一種晶閘型二極管芯片，其特征在于：第一PN結、第二PN結和第三PN結均為平面結。