[實用新型]用于檢測封裝后芯片漏電的結構有效
| 申請號： | 201220673148.8 | 申請日： | 2012-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN202957239U | 公開（公告）日： | 2013-05-29 |
| 發明（設計）人： | 陳燦;孫艷輝;張冠 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544;G01R31/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 檢測 封裝 芯片 漏電 結構 | ||
1.一種用于檢測封裝后芯片漏電的結構，所述封裝后芯片包括多層介質層以及形成于所述多層介質層中的多層金屬互連線，相鄰層的金屬互連線通過通孔連線電連接；其特征在于，包括：
多層測試線，形成于所述多層介質層中，所述多層測試線三面圍繞所述金屬互連線，并通過所述多層介質層與所述多層金屬互連線電隔離；
多個第一測試盤，形成于所述多層介質層中，每一層所述測試線均連接一第一測試盤；
頂層金屬連線，形成于所述多層介質層中最頂層的介質層中，所述頂層金屬連線電連接所述多層金屬互連線中最頂層的金屬互連線；
第二測試盤，與所述頂層金屬連線電連接；
焊接盤，形成于所述多層介質層中最頂層的介質層上。
2.如權利要求1所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述測試線與與其同層的金屬互連線之間的最小距離范圍為0.1um~0.15um。
3.如權利要求1所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述金屬互連線的層數為2~9層。
4.如權利要求1所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述多層測試線的層數小于所述金屬互連線的層數。
5.如權利要求4所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述金屬互連線為N層，所述測試線為N-1層，其中，N為大于等于2的自然數。
6.如權利要求1所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述焊接盤的材質為鋁。
7.如權利要求1所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述介質層為低K介質層。
8.如權利要求1所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述測試線的材質為銅。
9.如權利要求1所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述頂層金屬連線的材質為銅。
10.如權利要求1所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述金屬互連線和所述通孔連線的材質均為銅。
11.如權利要求1所述的用于檢測封裝后芯片漏電的結構，其特征在于：所述所述第一測試盤與所述第二測試盤的材質為銅或鋁。
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