[實用新型]單晶生長用石英安瓿內壁碳膜制備裝置有效
| 申請號: | 201220672715.8 | 申請日: | 2012-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN202968689U | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 吳卿;周立慶;劉興新;徐強強 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號: | C23C16/26 | 分類號: | C23C16/26 |
| 代理公司: | 工業和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人: | 吳永亮 |
| 地址: | 100015*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 生長 石英 安瓿 內壁 制備 裝置 | ||
1.一種單晶生長用石英安瓿內壁碳膜制備裝置,其特征在于,包括:
在石英安瓿(1)的頸部(2)設置安瓿支架(4),所述安瓿支架(4)內設有通道;
所述通道內設置導流管(3),所述導流管(3)的一端插進所述石英安瓿(1)的底部,所述導流管(3)的另一端穿出所述安瓿支架(4)與排氣管(7)相連接,所述排氣管(7)的另一端與真空泵連接;
所述安瓿支架(4)上還設有進氣管(8),所述進氣管(8)內的碳膜裂解氣體通過所述導流管(3)與所述頸部(2)之間的空隙進入所述石英安瓿(1);
所述進氣管(8)和所述排氣管(7)上均設有流量計。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述安瓿支架(4)與所述頸部(2)的連接處設有第一密封裝置(6)。
3.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一密封裝置(6)為密封圈和密封膠中的一種或多種。
4.根據權利要求1或2所述的裝置,其特征在于,所述導流管(3)與所述排氣管(7)的連接處設有第二密封裝置(5)。
5.根據權利要求4所述的裝置,其特征在于,所述第二密封裝置(5)為密封圈和密封膠中的一種或多種。
6.根據權利要求1或2所述的裝置,其特征在于,所述進氣管(8)的流量為10-30ml/min,所述排氣管(7)的流量為10-50ml/min。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





