[實用新型]一種光導半導體開關結構

有效

• 申請號: 201220670021.0
• 申請日: 2012-12-07
• 公開（公告）號: CN202977498U
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 楊匯鑫;胡剛
• 申請（專利權）人: 東莞市五峰科技有限公司
• 主分類號: H01L31/08
• 分類號: H01L31/08;H01L31/0224;H03K17/78
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 雷利平

1.一種光導半導體開關結構，包括基片（1），所述基片（1）的頂端面設置有第一碳化硅薄膜（2），所述第一碳化硅薄膜（2）的頂端面的兩側分別設置有電極（3），其特征在于：所述電極（3）的頂端面設置有第二碳化硅薄膜（4），該第二碳化硅薄膜（4）覆蓋于電極（3）之間的間隙及電極（3）的頂端面的部分區域。

2.根據權利要求1所述的一種光導半導體開關結構，其特征在于：所述第二碳化硅薄膜（4）覆蓋所述電極（3）頂端面面積的90%-95%。

3.根據權利要求1所述的一種光導半導體開關結構，其特征在于：所述第一碳化硅薄膜（2）及第二碳化硅薄膜（4）均為β-碳化硅薄膜。

4.根據權利要求3所述的一種光導半導體開關結構，其特征在于：所述β-碳化硅薄膜為具有立方結構的β-碳化硅薄膜，電阻率大于10⁵Ω·cm。

5.根據權利要求1所述的一種光導半導體開關結構，其特征在于：所述基片（1）為硅基片、碳化硅基片、氧化鋁基片、砷化鎵基片或者磷化銦基片。

6.根據權利要求1所述的一種光導半導體開關結構，其特征在于：所述電極（3）包括次接觸層及金屬薄膜層，所述次接觸層設置于金屬薄膜層外表面，所述次接觸層為n⁺-GaN層，所述金屬薄膜層為Ni/Ti/Au/Ti/Ni復合金屬層、Ni/Cr/Au/Cr/?Ni復合金屬層、Ni/Cr/?Ni復合金屬層、W/Ti/Ni/Ti/?W復合金屬層、TiN層、TiW層或者Ti/Al/Ti復合金屬層。