[實(shí)用新型]金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極驅(qū)動(dòng)電路及開關(guān)電源

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220669138.7
• 申請(qǐng)日: 2012-12-06
• 公開（公告）號(hào): CN202978714U
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉軍;張振東;魏晨;陳偉龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 雅達(dá)電子國際有限公司
• 主分類號(hào): H02M3/335
• 分類號(hào): H02M3/335
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 丁藝;沙捷

1.一種MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，連接于MOSFET（34）的柵極，包括

驅(qū)動(dòng)變壓器（T3），包括初級(jí)繞組和次級(jí)繞組；

初級(jí)驅(qū)動(dòng)電路（31），包括所述初級(jí)繞組；以及

次級(jí)驅(qū)動(dòng)電路（32），包括所述次級(jí)繞組，第一電阻（R32）以及輔助開關(guān)管（Q32）；

其中，所述輔助開關(guān)管（Q32）并聯(lián)于所述MOSFET（34）的柵極和源極；

其特征在于，所述MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路還包括與所述MOSFET（34）的柵極和源極并聯(lián)的噪聲抑制電路（33）；所述噪聲抑制電路(33)包括三極管（Q33）以及第二電阻（R33）；所述三極管（Q33）的發(fā)射極與所述MOSFET（34）的源極相連，所述三級(jí)管（Q33）的集電極通過與所述第一電阻（R32）串聯(lián)而連接于所述MOSFET（34）的柵極；所述第二電阻（R33）串聯(lián)于所述三極管（Q33）的基極和所述次級(jí)繞組的一端之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述噪聲抑制電路（33）還包括二極管（D34），所述二極管（D34）的陽極連接所述三極管（Q33）的基極，所述二極管（D34）的陰極連接于所述三極管（Q33）集電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述二極管（D34）是肖特基二極管或者低壓降快速二極管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，當(dāng)所述次級(jí)繞組電壓方向?yàn)樯县?fù)下正時(shí)，所述三極管（Q33）導(dǎo)通，并與所述MOSFET（34）組成回路。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，當(dāng)所述次級(jí)繞組電壓方向?yàn)樯县?fù)下正時(shí)，所述輔助開關(guān)管（Q32）導(dǎo)通，并與所述MOSFET（34）和所述第一電阻（R32）組成回路，所述MOSFET（34）關(guān)斷。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述次級(jí)驅(qū)動(dòng)電路（32）包括第三電阻（R31），所述第三電阻（R31）串接于所述次級(jí)繞組和所述輔助開關(guān)管（Q32）的漏極之間，并與所述第一電阻（R32）串聯(lián)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述輔助開關(guān)管（Q32）是MOSFET，其柵極與所述第二電阻（R33）連接于所述次級(jí)繞組的同一端，源極連接于所述MOSFET（34）的源極，漏極連接于所述第一電阻（R32）和第三電阻（R31）的連接節(jié)點(diǎn)（A）。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，當(dāng)所述次級(jí)繞組電壓方向?yàn)樯险仑?fù)時(shí)，所述輔助開關(guān)管（Q32）關(guān)斷，所述次級(jí)繞組與所述第一電阻（R32）、所述第三電阻（R31）以及所述MOSFET（34）組成回路，所述MOSFET（34）導(dǎo)通。

9.一種開關(guān)電源，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一所述的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路。