[實用新型]一種快恢復二極管芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220666111.2 | 申請日： | 2012-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN203205428U | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 鄧華鮮 | 申請（專利權）人： | 樂山嘉洋科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 毛光軍 |
| 地址： | 614000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 恢復 二極管 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種快恢復二極管芯片，包括N+層（1）和P+層（2），其特征在于：還包括設置在N+層（1）和P+層（2）之間的用于電流漂移的N型層（3）。
2.根據權利要求1所述的一種快恢復二極管芯片，其特征在于：還包括位于P+層（2）外側的至少一層用于分壓的P－層（4）。
3.根據權利要求2所述的一種快恢復二極管芯片，其特征在于：所述P－層（4）為閉合環(huán)。
4.根據權利要求3所述的一種快恢復二極管芯片，其特征在于：還包括設置在最外層P－層（4）上的玻璃鈍化層（5）。
5.根據權利要求4所述的一種快恢復二極管芯片，其特征在于：所述N+層（1）或P+層（2）表面均設置有鍍鎳合金層（6）。
6.根據權利要求5所述的一種快恢復二極管芯片，其特征在于：所述P+層（2）表面設置有金屬鋁層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
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