[實(shí)用新型]一種帶有多層光柵層的半導(dǎo)體激光芯片結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220661682.7 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203056368U | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王智勇;堯舜;潘飛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01S5/20 | 分類號(hào)： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人： | 魏聿珠 |
| 地址： | 100124 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 帶有 多層 光柵 半導(dǎo)體 激光 芯片 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種帶有多層光柵層的半導(dǎo)體激光芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：?
在襯底(1)材料上，采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行外延層生長(zhǎng)，依次生長(zhǎng)的N型摻雜的限制層(2)，N型摻雜的波長(zhǎng)選擇層(3)，N型摻雜的波導(dǎo)層(4)，量子阱(5)，P型摻雜的波導(dǎo)層(6)，P型摻雜的波長(zhǎng)選擇層(7)，P型摻雜的限制層(8)。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種帶有多層光柵層的半導(dǎo)體激光芯片結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述的作為波長(zhǎng)選擇層的N型摻雜的波長(zhǎng)選擇層(3)，P型摻雜的波長(zhǎng)選擇層(7)是由多對(duì)交替生長(zhǎng)的兩種不同折射率和光學(xué)厚度為輸出激光波長(zhǎng)的1/4的材料組成。?
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