[實用新型]一種光利用度高的太陽能單晶電池片有效
| 申請號: | 201220659860.2 | 申請日: | 2012-12-04 |
| 公開(公告)號: | CN202957260U | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 吳海燕 | 申請(專利權)人: | 佛山德九新能源光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區海心聯合專利代理事務所(普通合伙) 44295 | 代理人: | 段國剛 |
| 地址: | 528200 廣東省佛山市南海區桂*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 利用 太陽能 電池 | ||
1.一種光利用度高的太陽能單晶電池片,包括硅片基體(1),其特征在于,所述的硅片基體設有多條正弦波狀線(2),正弦波狀線(2)的上面設有柵線(3)和細柵線(4),柵線(3)和細柵線(4)相互垂直。
2.根據權利要求1所述的光利用度高的太陽能單晶電池片,其特性在于,所述的多條正弦波狀線(2)相互平行排列。
3.根據權利要求1所述的光利用度高的太陽能單晶電池片,其特性在于,所述的正弦波狀線(2)的延伸方向與柵線(3)的延伸方向一致。
4.根據權利要求1所述的光利用度高的太陽能單晶電池片,其特性在于,所述的正弦波狀線(2)的波高為0.?1-0.3mm。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





