[實(shí)用新型]一種薄膜太陽(yáng)能電池及制成它的p型半導(dǎo)體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220659582.0
• 申請(qǐng)日: 2012-12-05
• 公開（公告）號(hào): CN202977439U
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高平奇;孔英;王寬冒;黃艷紅;云驍健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 保定風(fēng)帆光伏能源有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L31/0376;H01L31/0384;H01L31/075;H01L31/076
• 代理公司: 保定市燕趙恒通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 13121
• 代理人: 楊玉清

1.一種薄膜太陽(yáng)能電池，其結(jié)構(gòu)為單結(jié)結(jié)構(gòu)：基板/前電極/p型半導(dǎo)體/i層本征吸收層/n層半導(dǎo)體薄膜/背電極；其特征在于：所述的p型半導(dǎo)體由p+層半導(dǎo)體薄膜和p-層半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成，其中p+層半導(dǎo)體薄膜、p-層半導(dǎo)體薄膜為具有不同光電特性的同一種材料制成，?

對(duì)于非晶硅電池，p+層半導(dǎo)體薄膜和p-層半導(dǎo)體薄膜均為非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-5～5×10^-5S/cm，能帶隙為1.8～1.9?eV,?厚度為40～80??；p-層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-7～5×10^-7?S/cm，能帶隙為2?~2.1?eV，厚度為30～100??；

對(duì)于微晶硅電池，p+層半導(dǎo)體薄膜和p-層半導(dǎo)體薄膜均為微晶硅μ-Si:H薄膜，p+層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-3～1×10^-2S/cm，能帶隙為1.1～1.2?eV,?厚度為40～80??；p-層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-5～1×10^-4?S/cm，能帶隙為1.3?～1.5?eV，厚度為30～100??。

2.一種薄膜太陽(yáng)能電池，其結(jié)構(gòu)為雙結(jié)結(jié)構(gòu)：基板/前電極/?p型半導(dǎo)體/i層本征吸收層/n層半導(dǎo)體薄膜/p型半導(dǎo)體/i層本征吸收層/n層半導(dǎo)體薄膜/背電極；其特征在于：所述的p型半導(dǎo)體由p+層半導(dǎo)體薄膜和p-層半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成，其中p+層半導(dǎo)體薄膜、p-層半導(dǎo)體薄膜為具有不同光電特性的同一種材料制成；

對(duì)于非晶硅電池，p+層半導(dǎo)體薄膜和p-層半導(dǎo)體薄膜均為非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-5～5×10^-5S/cm，能帶隙為1.8～1.9?eV,?厚度為40～80??；p-層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-7～5×10^-7?S/cm，能帶隙為2?~2.1?eV，厚度為30～100??；

對(duì)于微晶硅電池，p+層半導(dǎo)體薄膜和p-層半導(dǎo)體薄膜均為微晶硅μ-Si:H薄膜，p+層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-3～1×10^-2S/cm，能帶隙為1.1～1.2?eV,?厚度為40～80??；p-層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-5～1×10^-4?S/cm，能帶隙為1.3?～1.5?eV，厚度為30～100??。

3.一種薄膜太陽(yáng)能電池，其結(jié)構(gòu)為三結(jié)以及三結(jié)以上的多結(jié)結(jié)構(gòu)：基板/前電極/?p型半導(dǎo)體/i層本征吸收層/n層半導(dǎo)體薄膜/?p型半導(dǎo)體/i層本征吸收層/n層半導(dǎo)體薄膜/?p型半導(dǎo)體/i層本征吸收層/n層半導(dǎo)體薄膜/…/背電極；其特征在于：所述的p型半導(dǎo)體由p+層半導(dǎo)體薄膜和p-層半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成，其中p+層半導(dǎo)體薄膜、p-層半導(dǎo)體薄膜為具有不同光電特性的同一種材料制成，?

對(duì)于非晶硅電池，p+層半導(dǎo)體薄膜和p-層半導(dǎo)體薄膜均為非晶碳化硅a-SiC:H薄膜，p+層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-5～5×10^-5S/cm，能帶隙為1.8～1.9?eV,?厚度為40～80??；p-層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-7～5×10^-7?S/cm，能帶隙為2?~2.1?eV，厚度為30～100??；

對(duì)于微晶硅電池，p+層半導(dǎo)體薄膜和p-層半導(dǎo)體薄膜均為微晶硅μ-Si:H薄膜，p+層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-3～1×10^-2S/cm，能帶隙為1.1～1.2?eV,?厚度為40～80??；p-層半導(dǎo)體薄膜的暗電導(dǎo)為1×10^-5～1×10^-4?S/cm，能帶隙為1.3?～1.5?eV，厚度為30～100??。