[實用新型]一種IGBT

有效

• 申請號: 201220657534.8
• 申請日: 2012-12-03
• 公開（公告）號: CN203013733U
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 張文亮;朱陽軍;盧爍今;趙佳;吳振興
• 申請（專利權）人: 上海聯星電子有限公司;中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/423
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種IGBT，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底表面內的兩個溝槽柵結構；

位于所述兩個溝槽柵結構之間的開口，所述開口底部為平面，且所述開口的深度小于所述溝槽柵結構的深度，所述開口的側壁與所述兩個溝槽柵結構的側壁之間均具有間隙；

位于所述開口底部的平面假柵結構，所述平面假柵結構的厚度小于或等于所述開口的深度。

2.根據權利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述平面假柵結構包括，位于所述開口底部的假柵介質層，及位于所述假柵介質層表面上的假柵層。

3.根據權利要求2所述的IGBT，其特征在于，所述假柵層覆蓋所述開口底部的全部區域。

4.根據權利要求2所述的IGBT，其特征在于，所述假柵層為鏤空結構。

5.根據權利要求2所述的IGBT，其特征在于，所述假柵層包括多個相互平行的條形結構。

6.根據權利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述假柵層的各條形結構均平行于所述開口側壁與開口底部的交線。

7.根據權利要求5所述的IGBT，其特征在于，所述假柵層的各條形結構均垂直于所述開口側壁與開口底部的交線。

8.根據權利要求3、4或5任一項所述的IGBT，其特征在于，所述平面假柵結構各區域的電位相同。

9.根據權利要求2所述的IGBT，其特征在于，還包括，

位于所述兩個溝槽柵結構之間的浮空區，所述浮空區的摻雜深度比所述兩個溝槽柵結構的深度深；

位于所述浮空區下方的漂移區，所述漂移區的摻雜類型與所述浮空區的摻雜類型相反。

10.根據權利要求9所述的IGBT，其特征在于，所述平面假柵結構與所述溝槽柵結構之間的寄生電容隨假柵層厚度的減小而減小。

11.根據權利要求9所述的IGBT，其特征在于，所述平面假柵結構與所述溝槽柵結構之間的寄生電容隨假柵層與溝槽柵結構之間距離的增大而減小。

12.根據權利要求9所述的IGBT，其特征在于，所述平面假柵結構與所述漂移區之間的寄生電容隨假柵層面積的減小而減小。

13.根據權利要求9所述的IGBT，其特征在于，所述平面假柵結構與所述漂移區之間的寄生電容隨假柵層與漂移區之間距離的增大而減小。

14.根據權利要求2所述的IGBT，其特征在于，所述假柵層的材料為多晶硅或金屬。

15.根據權利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述兩個溝槽柵結構分別為第一溝槽柵結構和第二溝槽柵結構，在該IGBT的剖面圖中，第一溝槽柵結構的第二側與第二溝槽柵結構的第一側相對，且二者距離最近，第一溝槽柵結構的第一側與第二溝槽柵結構的第二側距離最遠，該IGBT還包括：位于所述半導體襯底表面內的第一阱區和第二阱區，位于所述第一阱區表面內的第一源區，位于所述第二阱區表面內的第二源區，其中，所述第一阱區位于所述第一溝槽柵結構第一側的半導體襯底表面內，所述第二阱區位于所述第二溝槽柵結構第二側的半導體襯底表面內。

16.根據權利要求1所述的IGBT，其特征在于，所述溝槽柵結構的電位相同。