[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201220653943.0
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN203118950U
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 崔承鎮;金熙哲;宋泳錫;劉圣烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;G02F1/1343;G02F1/1368
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板，包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極，其特征在于，還包括：?

依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜、刻蝕阻擋層薄膜和源漏金屬層薄膜；?

所述金屬氧化物薄膜的圖形、所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形以及所述源漏金屬層薄膜的圖形通過一次構圖工藝形成；?

通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區域包括所述第一透明電極。?

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，?

所述刻蝕阻擋層的圖形位于所述金屬氧化物薄膜圖形表面，且覆蓋TFT的溝道區域。?

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區域還包括：?

半導體有源層，所述半導體有源層位于所述刻蝕阻擋層下；?

用于與所述TFT的源極電連接的源連接電極以及第一透明電極；?

所述通過構圖工藝處理的所述源漏金屬層薄膜包括TFT的源極和漏極以及數據線。?

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：?

位于透明基板和所述金屬氧化物薄膜之間的柵線、柵電極以及公共電極線；?

位于所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線和所述金屬氧化物薄膜之間的柵絕緣層。?

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：?

位于數據線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的表面的含有第一過孔的鈍化層，所述第一過孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層，露出公共電極線；?

位于所述鈍化層表面的用于連接所述TFT的源極與源連接電極、所述TFT的漏極與所述第一透明電極的連接電極以及第二透明電極，所述第二透明電極通過所述第一過孔與所述公共電極線電連接。?

6.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：?

位于所述透明基板和所述金屬氧化物薄膜之間的柵線、柵電極以及公共電極線；?

位于所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線和所述金屬氧化物薄膜之間的柵絕緣層，所述柵絕緣層上形成有第二過孔，所述第二過孔用于連接所述第一透明電極與所述公共電極線。?

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：?

位于數據線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的表面的具有第三過孔的鈍化層，所述第三過孔貫穿所述鈍化層，露出所述TFT的漏極；?

位于所述鈍化層表面的用于連接所述TFT的源極與所述源連接電極的連接電極以及第二透明電極，所述第二透明電極通過所述第三過孔與所述TFT的漏極電連接。?

8.根據權利要求5或7所述的陣列基板，其特征在于，?

所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極；或，?

所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極。?

9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1至8任一所述的陣列基板。?