[實(shí)用新型]光學(xué)組件及光伏器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220653796.7
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN202948938U
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 谷鋆鑫
• 申請（專利權(quán)）人: 法國圣戈班玻璃公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/04
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 郎曉虹;李春暉

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型一般涉及光學(xué)材料領(lǐng)域，并且具體涉及光學(xué)組件及光伏器件。

背景技術(shù)

光在傳播時，在不同的介質(zhì)的分界面上通常會有一部分改變傳播方向而返回原來介質(zhì)中，這被稱為光的反射。通常，不同介質(zhì)之間折射率的差異越大，光在該分界面處的反射越強(qiáng)。

在光伏器件、顯示器等產(chǎn)品中，如何減少光的反射一直是研究的熱點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員研究發(fā)現(xiàn)，對于光從空氣投射至基底的情形，可以在基底上形成一層抗反射膜，在所述抗反射膜的折射率為空氣折射率與基底折射率乘積的平方根時（即滿足折射率匹配的條件），且所述抗反射膜厚度為波長厚度的四分之一時（即滿足厚度匹配的條件），所述抗反射膜對該波長光能起到良好的減少反射作用。常用的抗反射膜包括，例如，蛾眼結(jié)構(gòu)抗反射膜、多孔氧化硅膜、高折射率和低折射率材料交替的多層抗反射膜等。

然而，這些抗反射膜通常不具備抗沾污等性能，為了使光伏器件、顯示器等產(chǎn)品表面具有抗沾污等性能，需要在抗反射膜上額外施加一層涂層，例如低表面能涂層。由此帶來的一個潛在的問題是，該涂層可能會降低抗反射效果。

實(shí)用新型內(nèi)容

針對背景技術(shù)中提到的問題，獲得一種具備抗沾污性能的抗反射膜將是有利的。此外，在已有的抗反射膜上增加一層大體上不會引起抗反射效果劣化的抗沾污層也將是有利的。

根據(jù)本實(shí)用新型的一個方面，提供一種光學(xué)組件，包括：基底；第一抗反射層，包括顆粒陣列以及填充介質(zhì)；以及第二抗反射層，位于所述基底與所述第一抗反射層之間，其中，所述填充介質(zhì)至少部分地填充所述顆粒陣列的多個顆粒之間的空隙，所述第二抗反射層是多孔氧化硅膜層。

本實(shí)用新型的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，這樣結(jié)構(gòu)的第一抗反射層同時具備抗反射和抗沾污性能。

在一個實(shí)施例中，所述第二抗反射層包括多個二氧化硅球體，所述多個二氧化硅球體之間存在孔隙。所述多個二氧化硅球體的直徑可以是，例如，10nm至20nm。

在又一個實(shí)施例中，所述多個顆粒是直徑為80nm至250nm的球體。

在又一個實(shí)施例中，所述填充介質(zhì)是多個納米粒子。

所述多個顆粒以及所述多個納米粒子可以是二氧化硅球體、二氧化鈦球體、氧化鋁球體或者氧化鋯球體中的一種或多種。

所述多個納米粒子可以是直徑為7nm至12nm的二氧化硅球體，所述多個顆?？梢允侵睆綖?0nm至250nm的二氧化硅球體。

在又一個實(shí)施例中，所述填充介質(zhì)填充所述多個顆粒之間的空隙的至少90%。

所述多個顆粒與所述填充介質(zhì)可以是一體的。

根據(jù)本實(shí)用新型的另一個方面，提供一種光伏器件，包括：根據(jù)本實(shí)用新型的光學(xué)組件，所述光學(xué)組件的基底是透明的；以及太陽能電池，位于所述基底的未設(shè)置所述第一抗反射層的一側(cè)。

上文已經(jīng)概括而非寬泛地給出了本公開內(nèi)容的特征。本公開內(nèi)容的附加特征將在此后描述，其形成了本實(shí)用新型權(quán)利要求的主題。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以容易地使用所公開的構(gòu)思和具體實(shí)施方式，作為修改和設(shè)計其他結(jié)構(gòu)或者過程的基礎(chǔ)，以便執(zhí)行與本實(shí)用新型相同的目的。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)理解，這些等同結(jié)構(gòu)沒有脫離所附權(quán)利要求書中記載的本實(shí)用新型的主旨和范圍。

附圖說明

為了更完整地理解本公開以及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考以下描述，其中：

圖1示出了根據(jù)本實(shí)用新型的光學(xué)組件的一個實(shí)施例100；

圖2示出了根據(jù)本實(shí)用新型的光學(xué)組件的又一個實(shí)施例200；

圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型的光學(xué)組件的又一個實(shí)施例300；

圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型的光學(xué)組件的又一個實(shí)施例400；

圖5示出了根據(jù)本實(shí)用新型的光學(xué)組件的又一個實(shí)施例500；

圖6示出了根據(jù)本實(shí)用新型的方法的一個實(shí)施例；

圖7示出了根據(jù)本實(shí)用新型的方法的又一個實(shí)施例；

圖8示出了圖7的方法的步驟S300的一個實(shí)施例；

圖9示出了圖6或圖7的方法的步驟S200的一個實(shí)施例；

圖10示出了圖6或圖7的方法的步驟S200的又一個實(shí)施例；

圖11示出了一個示例性光學(xué)組件100的透射光譜；以及

圖12示出了一個示例性光學(xué)組件200的透射光譜，

除非指明，否則不同附圖中的相應(yīng)標(biāo)記和符號一般表示相應(yīng)的部分。繪制附圖是為了清晰地示出本公開內(nèi)容的實(shí)施方式的有關(guān)方面，而未必是按照比例繪制的。為了更為清晰地示出某些實(shí)施方式，在附圖標(biāo)記之后可能跟隨有字母，其指示相同結(jié)構(gòu)、材料或者過程步驟的變形。