[實用新型]一種基于自準直效應的二維光子晶體光強調制器

有效

• 申請號: 201220653770.2
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN202916550U
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 蔣強;梁斌明;胡艾青;胡水蘭;張磊;湛勝高;朱幸福
• 申請（專利權）人: 上海理工大學
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種基于自準直效應的二維光子晶體光強調制器，其特征在于：所述光強調制器包括孔型硅基光子晶體（1）、5CB液晶（2）、透明導電膜層（3）、外接電壓接線點（4）和包層玻璃（5），其中，所述孔型硅基光子晶體（1）由分束結構（6）、反射結構（7）和位于二者之間的自準直結構（8）構成，自準直結構（8）包括三個自準直區域（9、10、11）。

2.根據權利要求1所述的一種基于自準直效應的二維光子晶體光強調制器，其特征在于：設晶格周期為a，則分束結構（6）的空氣孔孔徑為1.46a~1.48a，反射結構（7）的空氣孔孔徑為1.70a~1.80a，自準直結構（8）的空氣孔孔徑為0.33a~0.34a。

3.根據權利要求1所述的一種基于自準直效應的二維光子晶體光強調制器，其特征在于：設晶格周期為a，則所述孔型硅基光子晶體（1）的工作波長為5.69a~5.7a。

4.根據權利要求1所述的一種基于自準直效應的二維光子晶體光強調制器，其特征在于：所述自準直區域（9、10、11）的空氣孔內填充有5CB液晶（2）。

5.根據權利要求1所述的一種基于自準直效應的二維光子晶體光強調制器，其特征在于：所述包層玻璃（5）有兩個，分別位于孔型硅基光子晶體（1）垂直空氣孔的兩側。

6.根據權利要求1所述的一種基于自準直效應的二維光子晶體光強調制器，其特征在于：所述透明導電膜層（3）直接鍍附在包層玻璃（5）靠近孔型硅基光子晶體（1）的一側，同孔型硅基光子晶體（1）相接觸。

7.根據權利要求1所述的一種基于自準直效應的二維光子晶體光強調制器，其特征在于：所述外接電壓接線點（4）位于包層玻璃（5）的內側面，同透明導電膜層（3）相連接。

8.根據權利要求1所述的一種基于自準直效應的二維光子晶體光強調制器，其特征在于：所述5CB液晶（2）的折射率隨著外加電壓的變化而變化，兩束光干涉后出射。