[實用新型]一種自旋閥磁阻零位控制結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220653725.7
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN202975297U
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 佘以軍;車振;黃春奎;李偉
• 申請（專利權）人: 中國船舶重工集團公司第七一○研究所
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09
• 代理公司: 北京理工大學專利中心 11120
• 代理人: 楊志兵;李愛英

1.一種自旋閥磁阻零位控制結構，其特征在于：所述結構包括印制電路板（1）、偏置永磁體（3）、交變磁場線圈（2）、線圈架（5）、自旋閥磁阻元件（4）；?

其中，所述偏置永磁體（3）為長方體；?

所述交變磁場線圈（2）包括第一線圈組（6）和第二線圈組（7），每組包括相互平行的兩個線圈，第二線圈組（7）位于第一線圈組（6）之內；?

所述自旋閥磁阻零位控制結構的安裝方式如下：?

在印制電路板（1）上安裝永磁體（3）和自旋閥磁阻元件（4），永磁體（3）長度方向的軸線與自旋閥磁阻元件（4）的磁易敏感方向垂直；將交變磁場線圈（2）通過線圈架（5）安裝在印制電路板（1）上；在交變磁場線圈（2）的中心位置布置1個或2個自旋閥磁阻元件（4），第一線圈組（6）和第二線圈組（7）的軸線與自旋閥磁阻元件（4）的磁易敏感方向平行或垂直。?

2.根據權利要求1所述的一種自旋閥磁阻零位控制結構，其特征在于：第一線圈組（6）和第二線圈組（7）的磁感應強度的振幅、頻率相同，相位差為90°。?

3.根據權利要求1所述的一種自旋閥磁阻零位控制結構，其特征在于：偏置永磁體（3）長為5.0mm，截面為1.2×0.8mm。?

4.根據權利要求1或3所述的一種自旋閥磁阻零位控制結構，其特征在于：偏置永磁體（3）由鋁鎳鈷材料制成。?

5.根據權利要求1～3任一項所述的一種自旋閥磁阻零位控制結構，其特征在于：所述控制結構采用自旋閥磁阻元件（4）的SOP8、STO-23或TO-94封裝形式。?