[實用新型]陣列基板、液晶面板、公共電極及公共電極線

有效

• 申請號: 201220653517.7
• 申請日: 2012-11-30
• 公開（公告）號: CN202939397U
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 田明;劉家榮;姚之曉;郤玉生
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 郭潤湘

技術領域

本實用新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板、液晶面板、公共電極及公共電極線。

背景技術

液晶顯示器包括以矩陣形式設計的陣列基板，以及驅動這些陣列基板的驅動電路，通過液晶盒內電場的變化來實現液晶分子的偏轉，從而達到顯示效果。壞點（本實用新型中將所有不能正常顯示的點統稱為壞點。）就是液晶顯示板上不可修復的像素，其除了人為損壞之外，多是在生產過程中由于亮斑部位的屏幕內部取向層遭到破壞所致。

目前，像素壞點修復所利用的原理是將公共電極線與像素電極焊接起來，同時切斷信號線與像素電極的連接，實現公共電極與像素電極電勢差為零，即通過控制液晶，讓其不再發生偏轉來實現將壞點變為暗點的目的。

但理論上可行的此種修復方法由于工藝問題，故成功率并不高，其原因有以下兩點：（1）從薄膜場效應晶體管（Thin?Film?Transistor，縮寫為TFT）側進行焊接時無法找到像素電極；（2）由于公共電極與像素電極間有柵絕緣層和鈍化層的間隔（厚度約為），而像素電極僅有所以很難實現公共電極與像素電極的良好焊接，通常情況下焊接處電阻過大，二者不能形成一個等勢體，公共電極和像素電極之間仍舊有電壓存在，這樣就會導致修復失敗，甚至適得其反，由于公共電極耦合像素電極，這樣即使切斷信號線與像素電極的連接，壞點修復也會失敗，甚至經常導致所修復的像素在切斷電源后持續發亮，很長一段時間后才逐漸變暗。

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種陣列基板、液晶面板、公共電極及公共電極線，用以解決現有技術中像素壞點修復的成功率低的問題，并且可以提高像素壞點修復的工作效率。

本實用新型實施例提供了一種陣列基板，包括：基板、柵線、數據線、矩陣過孔、像素電極、公共電極線和多個與該公共電極線電連接的公共電極，其中，所述公共電極線上設置有與每個公共電極相對應的掏空部。

本實用新型實施例提供的一種液晶面板，包含所述的陣列基板。

本實用新型實施例提供了一種公共電極線，包括用于導電的本體，所述本體上設置有與每個公共電極相對應的掏空部。

本實用新型實施例提供的一種公共電極，包括用于導電的本體，所述本體上具有用于與所述公共電極線相連的外凸部。

本實用新型實施例通過構造具有特殊形狀的公共電極和公共電極線，即在公共電極線上設置有與每個公共電極相對應的掏空部，使得后續在需要斷開某一公共電極與公共電極線的連接時，操作更為便捷，例如可以利用激光切割公共電極線來實現修復，這樣既不會影響壞點周圍像素的正常顯示，又可以保證公共電極線的矩陣結構不被破壞，有效提高了像素壞點修復的成功率。

附圖說明

圖1為陣列基板整體平面示意圖；

圖2為沿圖1中A’—A線的剖視圖；

圖3為公共電極線中特定結構可能的其它形狀示意圖；

圖4為完成公共電極構圖工藝的結構示意圖；

圖5為完成柵線、柵電極和公共電極線構圖工藝的結構示意圖；

圖6為完成有源層、數據線、漏電極、源電極、TFT溝道構圖工藝的結構示意圖；

圖7為形成亞像素連接過孔后的結構示意圖；

圖8為像素壞點修復公共電極線的切割位置結構示意圖；

圖9為普通亞像素壞點修復的切割位置結構示意圖；

圖10為矩陣亞像素壞點修復的切割位置結構示意圖。

具體實施方式

本實用新型實施例提供了一種陣列基板、液晶面板、公共電極及公共電極線，用以解決現有技術中像素壞點修復的成功率低的問題，并且可以提高像素壞點修復的工作效率。

本實用新型實施例提供的一種陣列基板的平面俯視圖如圖1所示，部分剖面結構如圖2所示，該剖面圖是圖1中虛線A’—A位置所對應的結構剖面圖，結合此剖面圖有助于更好的理解各部分結構之間的位置關系。

從圖1和圖2中可以看出，該陣列基板包括基板1、柵線4、柵絕緣層5、數據線6、鈍化層7、矩陣過孔8和像素電極9，公共電極線3和多個與該公共電極線3相連的公共電極2，其中，所述公共電極線3上設置有與每個公共電極2中的外凸部10相對應的掏空部11。

較佳的，所述掏空部11的形狀為凹形，當然掏空部11的形狀也可以為其它形狀，例如圖3所示的三角形，或者也可以為圓形、矩形等。