[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201220652746.7 | 申請日: | 2012-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN203085534U | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發明(設計)人: | 崔承鎮;金熙哲;宋泳錫;劉圣烈 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G09F9/35;G02F1/1368;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。?
背景技術
隨著TFT-LCD(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術的不斷發展,越來越多的新技術不斷地被提出和應用。基于ADS(ADvanced?Super?Dimension?Switch,AD-SDS,簡稱ADS,高級超維場轉換技術)模式的TFT-LCD憑借其低功耗、寬視角等特點,得到了越來越多人們的關注。?
ADS技術主要是通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場,使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉,從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。采用ADS技術的TFT-LCD產品不僅在畫面品質上有所提高,且具有高分辨率、高透過率、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優點。?
對于ADS型TFT-LCD而言,公共電極需要制作在陣列基板上,這就在ADS型TFT-LCD的陣列基板制作過程中需要額外增加一次形成公共電極的構圖工藝。因此在現有技術中通常需要通過7次構圖工藝制造ADS型TFT-LCD陣列基板,而每一次構圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。構圖工藝的次數過多將直接導致顯示裝置產品的成本上升,因此如何能夠進一步減少構圖工藝的次數也就成為了人們日益關注的問題。?
實用新型內容
本實用新型的實施例提供一種陣列基板及顯示裝置,可以減少在陣列基板的制造過程中構圖工藝的次數,有效降低產品的生產成本。?
為達到上述目的,本實用新型的實施例采用如下技術方案:?
本實用新型實施例的一方面,提供一種陣列基板,包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極,還包括:?
依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜;?
所述金屬氧化物薄膜的圖形和所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形通過一次構圖工藝形成;?
通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區域包括所述第一透明電極。?
所述刻蝕阻擋層薄膜的圖形位于所述金屬氧化物薄膜圖形表面,且覆蓋TFT的溝道區域。?
所述通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區域還包括:?
半導體有源層,所述半導體有源層位于所述刻蝕阻擋層薄膜下;?
用于與所述TFT的源極電連接的源連接電極、用于與所述TFT的漏極電連接的漏連接電極以及第一透明電極,所述漏連接電極與所述第一透明電極為一體結構。?
所述陣列基板還包括:?
位于所述透明基板和所述金屬氧化物薄膜之間的柵線、柵電極以及公共電極線;?
位于所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線和所述金屬氧化物薄膜之間的柵絕緣層。?
所述陣列基板還包括:?
位于所述刻蝕阻擋層薄膜和所述第一透明電極的表面的數據線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極;?
位于所述數據線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的表面的含有過孔的鈍化層,所述過孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層,露出公共電極線;?
位于所述鈍化層表面的第二透明電極,所述第二透明電極通過所述過孔與所述公共電極線電連接。?
所述第一透明電極為像素電極,所述第二透明電極為公共電極。?
所述金屬氧化物薄膜采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料,包括:InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種。?
本實用新型實施例的另一方面,提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括如上所述的陣列基板。?
本實用新型實施例提供的陣列基板及顯示裝置,采用一次構圖工藝形成金屬氧化物薄膜的圖形和刻蝕阻擋層薄膜的圖形,并在金屬氧化物薄膜的圖形區域進行金屬化處理以形成第一透明電極。這樣一來,可以在一次構圖工藝中分別形成金屬氧化物薄膜的圖形、刻蝕阻擋層薄膜的圖形以及第一透明電極,與現有技術相比,可以將陣列基板制作過程中的構圖工藝使用次數減少到5次,從而簡化了產品的生產步驟,顯著降低了產品的生產成本。?
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。?
圖1為本實用新型實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程示意圖;?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





