[實用新型]一種半導體功率器件有效
| 申請號： | 201220652041.5 | 申請日： | 2012-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN203026509U | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發明（設計）人： | 褚為利;朱陽軍;田曉麗;盧爍今;陸江 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司;江蘇物聯網研究發展中心 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 功率 器件 | ||
1.一種半導體功率器件，其特征在于，包括：?
有源區、終端區及位于二者之間的主結，所述終端區包括終端結構，所述有源區包括基區，所述基區、主結、終端結構的摻雜類型相同，所述主結與所述有源區的基區同時形成，所述主結的結深與所述基區的結深相同，且所述主結的結深小于所述終端結構的結深。?
2.根據權利要求1所述的半導體功率器件，其特征在于，所述主結的結深為3μm～10μm，包括端點值。?
3.根據權利要求2所述的半導體功率器件，其特征在于，所述終端結構包括場限環。?
4.根據權利要求2所述的半導體功率器件，其特征在于，所述終端結構包括場限環和位于所述場限環上方的場板。?
5.根據權利要求3或4所述的半導體功率器件，其特征在于，所述場限環的結深為5μm～15μm，包括端點值。?
6.根據權利要求2所述的半導體功率器件，其特征在于，所述終端結構包括結終端延伸結構，所述結終端延伸結構的結深為5μm～15μm，所述結終端延伸結構的寬度為100μm～1500μm，包括端點值。?
7.根據權利要求3、4或6所述的半導體功率器件，其特征在于，所述終端結構還包括位于終端區邊緣區域的場截止環。?
8.根據權利要求3、4或6所述的半導體功率器件，其特征在于，所述半導體功率器件還包括位于主結上方的場板。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司;江蘇物聯網研究發展中心，未經中國科學院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司;江蘇物聯網研究發展中心許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220652041.5/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種防止工具墜落的電工包
- 下一篇：一種多功能電腦音響包
- 同類專利
- 專利分類
