[實用新型]陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201220647483.0 | 申請日: | 2012-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN202917490U | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發明(設計)人: | 張明;蘇盛宇;郝昭慧;尹雄宣 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示領域,尤其涉及一種陣列基板和設置有該陣列基板的顯示裝置。
背景技術
在陣列基板的制作過程中,為提高成品率及降低損失,需要及時對產品進行檢測,反饋并利用激光方法修復等。如圖1所示,針對可能存在的布線不良,形成柵線12時,會在陣列基板的邊緣一并形成一與柵線12相連的測試線11;形成數據線13時,也需要在邊緣形成與數據線13相連的測試線11(測試線DO和測試線DE),各測試線11在測試端口14處利用接觸探針等與外部測試設備15相連,從而實現測試信號加載。
具體地,在完成柵金屬層刻蝕,形成柵線12以及與柵線12相連的測試線11后,下一步一般采用等離子增強化學氣相沉積(Plasma?EnhancedChemical?Vapor?Deposition,PECVD)方法形成柵絕緣層,發明人發現:在形成柵絕緣層的工藝過程中,柵線12與測試線11相連區域(稱為:柵線連接區,Gate?pad?bar),尤其是柵線12與測試線11的連接處,容易發生電弧放電現象,導致該位置的測試電路被燒毀,從而出現在陣列基板完成后無法利用陣列測試(Array?Tester)設備測試或測試異常的情況,最終會影響產品的良品率。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板和設置有該陣列基板的顯示裝置,可減少信號線與測試線連接區域在后繼生產流程中發生電弧放電的機率,確保測試線的正常形成,以及測試的正常進行,從而提高良品率。
為達到上述目的,本實用新型的實施例采用如下技術方案:
一種陣列基板,包括:用于提供顯示信號或控制信號的信號線;以及與所述信號線相連,用于測試所述信號線是否布線不良的測試線;還包括:設置在所述信號線上方的絕緣層,
所述測試線設置在所述絕緣層上;
位于所述測試線與所述信號線之間的各層上設置有過孔,所述測試線通過該過孔與所述信號線相連。
可選地,所述信號線為柵線或者數據線。
可選地,所述測試線的材質為透明導電材料。
可選地,所述測試線與透明電極位于同一層,
所述透明電極為像素電極或者公共電極。
進一步,可選地,所述陣列基板還包括:
冗余測試線,與所述信號線位于同一層,
所述冗余測試線的線寬比所述信號線的線寬小。
可選地,所述冗余測試線的線寬小于等于3微米。
可選地,所述冗余測試線的材質為金屬。
進一步地,所述陣列基板還包括:
測試端口,與所述信號線位于同一層。
本實用新型還提供一種顯示裝置,包括:所述的任一陣列基板。
本實用新型提供了一種陣列基板和設置有該陣列基板的顯示裝置,
將測試線設置在絕緣層上,并通過過孔將信號線與測試線相連。以柵線信號線為例,具體地:修改掩膜板結構,在柵金屬層刻蝕過程中不設置與柵線相連的測試線,這樣在PECVD方法沉積柵絕緣層過程中,因不存在測試線,原本在柵線與測試線相連區域發生的電弧放電現象也不會發生,而柵金屬層的電學測試采用的是Gate?OS設備(Gate?Open/Short?Tester,斷/短路測試機),Gate?OS設備為一種測試像素區信號線是否存在open(斷路)或者short(短路)設備,其測試范圍只限于像素區,采用的測試方法為OS設備,其測試原理為采用非接觸電容感應方式在像素區信號線一端加載信號,在另一端檢測所接收信號有無異常變化來確認像素區中信號線是否正常,故不需要外加的測試線也能正常測試;然后,繼續后繼流程,在沉積鈍化層后的刻蝕工藝中刻蝕出過孔,最后沉積透明導電膜并刻蝕形成測試線,最終通過過孔,實現柵線與測試線的連通,使整個陣列基板具備了陣列測試能力。因此,本實用新型中的陣列基板和顯示裝置,既能確保正常形成測試線以及正常進行測試,提高良品率,又不影響陣列基板的整個工藝流程及現有的測試流程。
附圖說明
圖1為現有陣列基板的測試示意圖;
圖2為本實用新型實施例一中陣列基板的剖面結構示意圖一;
圖3為本實用新型實施例一中陣列基板的剖面結構示意圖二;
圖4為本實用新型實施例一中陣列基板的柵極金屬層刻蝕后的圖案示意圖;
圖5為本實用新型實施例一中陣列基板的柵線及其測試線的連接示意圖;
圖6為本實用新型實施例二中陣列基板的柵極金屬層刻蝕后的圖案示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





