[實用新型]N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220643649.1
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN203055964U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設計）人: 賈河順;姜言森;程亮;任現(xiàn)坤;張春艷;孫繼峰;馬繼磊;徐振華
• 申請（專利權(quán)）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0747
• 分類號: H01L31/0747;H01L31/0224
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

1.?一種N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，N型硅襯底受光面由內(nèi)到外依次為n+型晶硅層、減反射層的疊層結(jié)構(gòu)；N型硅襯底背光面最內(nèi)層為n+型晶硅層，在背光面n+型晶硅層沉積的薄膜分為兩種結(jié)構(gòu)，兩種結(jié)構(gòu)之間相互交替并有間隔互相分開；其中一部分為透明導電薄膜和電極的疊層結(jié)構(gòu)，另一部分由內(nèi)到外依次為本征非晶或微晶硅層、p型非晶或微晶硅層、透明導電薄膜和電極的疊層結(jié)構(gòu)。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，本征非晶或微晶硅層，p型非晶或微晶硅層，透明導電薄膜，n+型晶硅層和減反射層的厚度范圍為1~5000nm。

3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，本征非晶或微晶硅層，p型非晶或微晶硅，透明導電薄膜，?n+型晶硅層，減反射層的厚度分別為10nm，12nm，15nm，200nm，80nm。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，n+型晶硅層沉積的薄膜分為兩種結(jié)構(gòu)，兩種結(jié)構(gòu)之間的間隔距離為0.01~10000μm。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述N型硅襯底背接觸型式HIT太陽電池結(jié)構(gòu)，其特征在于，n+型晶硅層沉積的薄膜分為兩種結(jié)構(gòu)，兩種結(jié)構(gòu)之間的間隔為距離40μm。