[實用新型]基于N型硅襯底背接觸式HIT太陽電池結構有效

申請號：	201220643086.6	申請日：	2012-11-29
公開（公告）號：	CN203055963U	公開（公告）日：	2013-07-10
發明（設計）人：	賈河順;姜言森;程亮;任現坤;張春艷;孫繼峰;馬繼磊;徐振華	申請（專利權）人：	山東力諾太陽能電力股份有限公司
主分類號：	H01L31/0747	分類號：	H01L31/0747;H01L31/0224
代理公司：	濟南舜源專利事務所有限公司 37205	代理人：	宋玉霞
地址：	250103 山東省濟***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	基于襯底接觸 hit 太陽電池結構
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【權利要求書】：

1.?一種基于N型硅襯底背接觸式HIT太陽電池結構，其特征在于，其結構為：N型硅襯底受光面由內而外依次為受光面n型非晶或微晶硅層、減反射層；背光面由內而外依次為本征非晶或微晶硅層，p型非晶或微晶硅層和背光面n型非晶或微晶硅層之間有間隔且交替排列于本征非晶或微晶硅層上，p型非晶或微晶硅層和背光面n型非晶或微晶硅層上均覆蓋有透明導電薄膜，金屬電極位于透明導電薄膜上。

2.?根據權利要求1所述基于N型硅襯底背接觸式HIT太陽電池結構，其特征在于，本征非晶或微晶硅層、背光面p型非晶或微晶硅層、背光面n型非晶或微晶硅層、透明導電薄膜、受光面n型非晶或微晶硅、減反射層厚度范圍為1~5000nm。

3.?根據權利要求2所述基于N型硅襯底背接觸式HIT太陽電池結構，其特征在于，p型非晶或微晶硅層、受光面n型非晶或微晶硅層、背光面n型非晶或微晶硅層、本征非晶或微晶硅層以及透明導電薄膜的厚度分別為12nm、12nm、12nm、10nm和15nm。

4.?根據權利要求1所述基于N型硅襯底背接觸式HIT太陽電池結構，其特征在于，p型非晶或微晶硅層和背光面n型非晶或微晶硅層的間隔為0.01~10000um。

5.?根據權利要求4所述基于N型硅襯底背接觸式HIT太陽電池結構，其特征在于，p型非晶或微晶硅層和背光面n型非晶或微晶硅層的間隔為20um。

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