[實用新型]一種多晶硅真空區熔線圈有效
| 申請號： | 201220641842.1 | 申請日： | 2012-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN203049079U | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 王遵義;王彥君;張雪囡;劉嘉;孫健;劉錚;涂頌昊;喬柳;馮嘯桐 | 申請（專利權）人： | 天津市環歐半導體材料技術有限公司 |
| 主分類號： | C30B13/20 | 分類號： | C30B13/20 |
| 代理公司： | 天津濱?？凭曋R產權代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莉華 |
| 地址： | 300384 天津市濱海新區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 真空 線圈 | ||
【權利要求書】：
1.一種多晶硅真空區熔線圈，包括線圈骨架和線圈冷卻水管，所述線圈冷卻水管焊接嵌入所述線圈骨架內，其特征在于：所述線圈為平板單匝結構，所述線圈骨架的上表面設有向線圈內部凹陷的臺階，所述臺階底部一端與所述線圈骨架內圓上邊沿連接成斜面，與水平面呈一傾斜角；
所述線圈骨架內圓處開有貫通上下表面的十字切縫，分別為第一切縫、第二切縫、第三切縫和第四切縫，在所述線圈骨架外圓沿第一切縫方向的一側設有連接電極的法蘭，所述法蘭與第一切縫間開有一條主縫，在所述線圈骨架上沿第二切縫、第三切縫和第四切縫的方向還分別開有第一副縫、第二副縫和第三副縫，所述主縫和副縫的寬度均小于所述十字切縫的寬度。
2.根據權利要求1所述的區熔線圈，其特征在于：所述第一副縫、第二副縫和第三副縫的長度均為10-300mm。
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