[實(shí)用新型]一種雙面發(fā)光的LED芯片和LED器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220640581.1
• 申請(qǐng)日: 2012-11-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202940270U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁月山
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 昆山開(kāi)威電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/50;H01L33/62;H01L33/36
• 代理公司: 蘇州華博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32232
• 代理人: 魏亮芳

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種雙面發(fā)光的LED芯片，特別是涉及一種采用該雙面發(fā)光的LED芯片的LED器件。?

背景技術(shù)

在現(xiàn)有LED(?Light?Emitting?Diode，發(fā)光二極管)的制造技術(shù)中，LED發(fā)光器件的封裝通常是在藍(lán)光芯片上制作pn結(jié)電極，在電極上打制金線(xiàn)（金線(xiàn)是連接LED芯片與外部接線(xiàn)管腳的連接線(xiàn)），將芯片電極與外部管腳連接，然后在芯片上涂覆熒光粉，公開(kāi)日為2006年11月8日、公開(kāi)號(hào)為CN?1858920A的中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)“一種白光LED燈的封裝方法”和公開(kāi)日為2009年8月26日、公開(kāi)號(hào)為CN?101514805A的?

中國(guó)發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)“一種LED封裝結(jié)構(gòu)及其實(shí)現(xiàn)方法”中對(duì)于LED芯片的現(xiàn)有封裝方式、封裝結(jié)構(gòu)均有較詳細(xì)的公開(kāi)和披露；通過(guò)對(duì)上述資料的分析可知，現(xiàn)有技術(shù)路線(xiàn)存在有以下主要缺點(diǎn)：?

1、?所制造的LED器件只能在頂部單向發(fā)光，只有一個(gè)出光面；?

2、?面向底部的光線(xiàn)需要通過(guò)特制的反射層反射，通過(guò)頂部發(fā)光，其發(fā)光效率大大降低；

3、?單面發(fā)光使得目前的LED器件只能是一個(gè)半球形光源，極大限制了LED在應(yīng)用能力。?

實(shí)用新型內(nèi)容

為解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種雙面發(fā)光的LED芯片。?

本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：一種雙面發(fā)光的LED芯片，包括LED芯片和熒光材料層，所述熒光材料層連接于所述LED芯片的正負(fù)兩極面上，所述熒光材料層和所述LED芯片的正負(fù)兩極面之間還設(shè)置有導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層；所述第一導(dǎo)電層涂覆于所述LED芯片的正負(fù)兩極面上；所述第二導(dǎo)電層涂覆于所述熒光材料層上；所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層通過(guò)共晶反應(yīng)結(jié)合在一起。?

優(yōu)選的，所述LED芯片為垂直結(jié)構(gòu)。?

優(yōu)選的，所述雙面發(fā)光的LED芯片還設(shè)置有芯片電極，所述芯片電極為設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層和/或第二導(dǎo)電層上的導(dǎo)電焊接層。?

優(yōu)選的，所述的熒光材料層為石榴石類(lèi)熒光材料單晶體材質(zhì)或石榴石類(lèi)熒光材料陶瓷材質(zhì)或石榴石類(lèi)熒光材料玻璃材質(zhì)。?

優(yōu)選的，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層均為透明導(dǎo)電薄膜，所述透明導(dǎo)電薄膜包括金屬膜系列、透明導(dǎo)電氧化物膜系列、高分子膜系列、復(fù)合膜系列和化合物膜系列導(dǎo)電薄膜。?

優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電薄膜是銦錫氧化物透明導(dǎo)電膜或Ni-Au導(dǎo)電膜或金錫膜。?

優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電薄膜與所述LED芯片的正負(fù)極面接觸。?

本發(fā)明還提供另一個(gè)技術(shù)方案，一種LED器件，包括如上所述的雙面發(fā)光的LED芯片和外引支架電極，所述外引支架電極與所述芯片電極封裝在一起，所述芯片電極與外引支架電極之間建立電連接通道。?

采用以上技術(shù)方案的有益效果：一、本技術(shù)方案中的雙面發(fā)光的LED芯片不需要在LED芯片的表面制造金電極，簡(jiǎn)化了LED芯片制程工藝；二、消除了傳統(tǒng)LED芯片上金電極對(duì)LED芯片的發(fā)光阻擋，可以有效增加藍(lán)光芯片的出光面積，提高LED出光效率；三、所制成的LED器件具有球形光源特征，大大拓展其應(yīng)用領(lǐng)域。?

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。?

圖1為本實(shí)用新型公開(kāi)的雙面發(fā)光的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；?

圖2是本實(shí)用新型公開(kāi)的雙面發(fā)光的LED芯片的并聯(lián)結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本實(shí)用新型公開(kāi)的雙面發(fā)光的LED芯片的串聯(lián)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中的數(shù)字或字母所代表的相應(yīng)部件的名稱(chēng)：?

???11.LED芯片正極面??12.LED芯片負(fù)極面??211.正極第一導(dǎo)電層??212.負(fù)極第一導(dǎo)電層??221.正極第二導(dǎo)電層??222.負(fù)極第二導(dǎo)電層??31.正極熒光材料層??32.負(fù)極熒光材料層??41.正極芯片電極??42.負(fù)極芯片電極??5.外引支架電極。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。?

實(shí)施例1?