[實用新型]一種合成結構的高壓器件有效
| 申請號： | 201220637863.6 | 申請日： | 2012-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN203055909U | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 李照華;林道明;趙春波;胡喬;戴文芳 | 申請（專利權）人： | 深圳市明微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/085 | 分類號： | H01L27/085;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人： | 鄭瑜生 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山區高新*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 合成 結構 高壓 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種合成結構的高壓器件，其特征在于，包括高壓功率管HVNMOS和JFET管，?
所述高壓功率管HVNMOS包括漏極、源極、柵極和襯底，導電溝道為源極和漏極之間的P型阱區Pwell；?
所述JFET管包括漏極、源極、柵極和襯底，導電溝道為源極和漏極之間的N型阱區Nwell；?
所述高壓功率管HVNMOS和所述JFET管共用相同的漏極，所述漏極采用N型雙擴散工藝。?
2.如權利要求1所述的合成結構的高壓器件，其特征在于，所述襯底上還包括掩埋層Bury?P和深N型阱區Deep?Nwell，用于提高器件的耐壓值和可靠性。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
