[實(shí)用新型]污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220637597.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202903957U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 易滿成;舒乃秋;黃慧紅;葉建斌;李自品;陳俊;方健;彭輝;汪游胤;李智寧 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣州供電局有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/12 | 分類號(hào): | G01R31/12 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 王茹;曾旻輝 |
| 地址: | 510620 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 污穢 絕緣子 絕緣 強(qiáng)度 監(jiān)測(cè) 裝置 | ||
1.一種污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置,其特征在于,包括:接收低頻聲信號(hào)的低頻聲傳感器、提取低頻聲信號(hào)的特征量的特征提取電路以及處理器模塊;
所述低頻聲傳感器設(shè)于被監(jiān)測(cè)絕緣子的設(shè)定距離上;
所述特征提取電路連接在所述低頻聲傳感器與所述處理器模塊之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置,其特征在于,所述特征量包括能量特征量和頻譜特征量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置,其特征在于,還包括連接在所述低頻聲傳感器和特征提取電路之間的信號(hào)采樣電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置,其特征在于,還包括連接所述信號(hào)采樣電路的單片機(jī)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置,其特征在于,還包括連接在所述低頻聲傳感器與信號(hào)采樣電路之間的濾波電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置,其特征在于,還包括連接在所述低頻聲傳感器與濾波電路之間的放大電路。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置,其特征在于,還包括用于根據(jù)污穢絕緣子的外絕緣強(qiáng)度發(fā)布污閃預(yù)警信息的信息發(fā)布模塊;
所述信息發(fā)布模塊連接所述處理器模塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置,其特征在于,所述低頻聲傳感器的晶片振蕩頻率為20Hz~20kHz。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的污穢絕緣子外絕緣強(qiáng)度監(jiān)測(cè)裝置,其特征在于,所述處理器模塊包括微處理器。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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