[實用新型]太陽能電池有效
| 申請號: | 201220636349.0 | 申請日: | 2012-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN202905728U | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 韓瑋智;胡金艷;牛新偉;蔣前哨;李永輝;仇展煒 | 申請(專利權)人: | 浙江正泰太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370 | 代理人: | 馮譜 |
| 地址: | 310053 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種太陽能電池,更具體地,涉及一種采用分段主柵的正面電極設計的太陽能電池。
背景技術
在當今能源短缺的情況下,太陽能電池作為一種可再生資源,引起了廣泛關注。另外,由于太陽能電池不會引起環境污染,因此太陽能電池行業在世界各地受大了極大的關注,不斷有大型的太陽能電池廠在世界各地建立。在追求高轉化效率的同時,減低成本也成了各個廠家提高自身競爭力的關鍵點。
晶體硅太陽能電池的正面電極的主要作用為通過使用高導電率金屬將PN結產生的載流子導出,供外電路使用。傳統的正面電極為連續的“H”型柵線結構,由主柵和副柵組成。副柵的作用是從PN結中收集電流并輸送至主柵。主柵的作用是將從副柵匯集電流在組件中沿一定方向輸送及傳導給焊帶。現有太陽能電池正面電極上主柵一般為2~3根。
為了降低電極電阻引起的功率損耗,保障電極主柵的可焊性,在硅片與金屬柵之間形成良好的歐姆接觸,進而提高晶體硅太陽能電池的轉換效率,晶體硅太陽能電池電極通常使用貴金屬銀制成的導電漿料來制備。常規的晶體硅太陽能電池主柵一般被導電銀漿料完全填充,這不僅增加了巨額的銀漿單耗成本,而且在焊接過程中容易造成錫溢流,產生錫絲,“拉錫現象”的產生進一步抬高了成本。另外,這樣制造的主柵覆蓋在硅片上的面積較大,增大了折光率,影響了太能電池的光電轉換效率。
為了降低太陽能電池印刷過程中金屬漿料的使用量,進而降低太陽能電池的制造成本,有技術采用分段主柵的來代替傳統主柵。分段主柵即在主柵上分段采用鏤空結構。分段主柵的采用解決了折光率高以及銀漿使用成本過高的問題,但同時也帶來了弊端,即降低了太陽能電池正面導電能力,增加了電阻。
實用新型內容
本實用新型提供一種太陽能電池,該太陽能電池結構能夠在有效減少在太陽能電池正面電極印刷中導電漿料(通常是銀漿料)的使用量的同時,有效保持太陽能電池電性能。
根據本實用新型的一個方面,提供一種太陽能電池,所述太陽能電池包括背電極和正面電極,其中,所述正面電極由至少4根主柵和與所述主柵成一定角度設置的副柵組成,所述主柵為多段鏤空結構,鏤空段與實體段交替連接,所述主柵至少包括2個鏤空段。
根據本實用新型的一個具體實施方式,其中,所述主柵之間的間距為5mm~120mm。
根據本實用新型的另一個具體實施方式,其中,所述主柵的寬度范圍為0.5mm~5mm。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述主柵在所述太陽能電池正面對稱分布。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述主柵之間相互平行。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述主柵的印空比為0.1~9。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述副柵的根數范圍為50~500。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述副柵的寬度為15μm~800μm。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述副柵之間相互平行。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述副柵寬度沿所述副柵方向不一致。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述實體段的形狀包括:封閉多邊形、非封閉多邊形或線條組合。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述實體段內部包括鏤空區域。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述鏤空區域為任意多邊形。
根據本實用新型的又一個具體實施方式,其中,所述鏤空段的形狀包括:封閉多邊形、非封閉多邊形、線條組合或點組合。
本實用新型中的主柵為多段鏤空結構,鏤空段與實體段交替連接,節省了制造主柵的金屬漿料的用量;采用多根主柵代替傳統2~3根主柵,可以在節省制作材料的基礎上,保持太陽能電池的電性能。
附圖說明
通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述,本實用新型的其它特征、目的和優點將會變得更明顯。
圖1為傳統的連續三主柵的太陽能電池正面電極的俯視圖;
圖2為本實用新型一種太陽能電池正面電極的一個具體實施方式的正面電極的柵結構的俯視圖;以及
圖3為本實用新型一種太陽能電池正面電極的一個具體實施方式的正面電極的柵結構的主柵實體段的局部放大俯視圖。
附圖中相同或相似的附圖標記代表相同或相似的部件。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于浙江正泰太陽能科技有限公司,未經浙江正泰太陽能科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220636349.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





