[實(shí)用新型]等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置及沉積裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220629223.0 | 申請日: | 2012-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN203007417U | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張治超;孫亮;趙海廷;郭總杰;劉正 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/505 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;鄧伯英 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 等離子體 增強(qiáng) 化學(xué) 沉積 極板 裝置 | ||
1.一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置,包括用于與要進(jìn)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的基板相接觸的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板,其中,所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板上設(shè)置有用于將所述基板頂離或放在所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板上的移動定位單元,其特征在于,所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置還包括:控制所述移動定位單元的表面電壓的移動定位單元電壓控制單元,用于使所述移動定位單元在所述基板上產(chǎn)生與所述基板平行的電場。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置,其特征在于,所述移動定位單元與所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板之間通過絕緣件隔開。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置,其特征在于,所述絕緣件的材料為傳熱絕緣材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置,其特征在于,所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板上設(shè)置有通孔,所述絕緣件鑲嵌在所述通孔的孔壁上,所述移動定位單元貫穿所述通孔,所述移動定位單元貫穿所述通孔部分與所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板之間通過所述絕緣件隔開。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置,其特征在于,所述移動定位單元將所述基板放在所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板后,所述移動定位單元的外表面與所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板的外表面齊平。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置,其特征在于,所述移動定位單元為多個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置,其特征在于,多個(gè)所述移動定位單元在所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板上均勻排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置,其特征在于,還包括用于加熱所述移動定位單元的加熱單元,和/或用于冷卻所述移動定位單元的冷卻單元,和/或用于檢測所述移動定位單元溫度的溫度檢測單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8任意一項(xiàng)所述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置,其特征在于,所述移動定位單元包括用于固定支撐的承接單元和用于頂離或者將所述基板放在所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板上的移動單元,所述承接單元與所述移動單元通過伸縮的方式嵌套在一起;
當(dāng)所述移動單元將所述基板放在所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板后,所述移動單元的外表面與所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板的外表面齊平。
10.一種等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1~9任意一項(xiàng)所述的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積電極板裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
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