[實用新型]大尺寸LED芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220621155.3 | 申請日: | 2012-11-22 |
| 公開(公告)號: | CN202930386U | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃華茂;王洪;楊潔;耿魁偉 | 申請(專利權(quán))人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 尺寸 led 芯片 | ||
1.大尺寸LED芯片,包括襯底和外延層,其特征在于所述襯底為長方體,所述外延層分割成多個發(fā)光單元,發(fā)光單元的側(cè)壁具有微結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的大尺寸LED芯片,其特征在于所述發(fā)光單元的橫截面中最大寬度為100μm-500μm,各發(fā)光單元的橫截面的尺寸相同或者不同,發(fā)光單元的排列呈隨機分布或周期分布。
3.如權(quán)利要求1所述的大尺寸LED芯片,其特征在于所述發(fā)光單元的側(cè)壁具有的微結(jié)構(gòu)的橫截面形狀為三角形、矩形、半圓形、拋物線型、正弦形中的一種以上,微結(jié)構(gòu)的橫截面中最大寬度為0.15μm-10μm,微結(jié)構(gòu)在發(fā)光單元側(cè)壁的排列呈隨機分布或周期分布。
4.如權(quán)利要求1所述的大尺寸LED芯片,其特征在于所述發(fā)光單元的電極為圓盤形、圓環(huán)形、矩形、十字形、目字形或田字形,發(fā)光單元通過電極連接橋并聯(lián)或者串聯(lián)。
5.如權(quán)利要求1所述的大尺寸LED芯片,其特征在于所述襯底為導電型襯底,所述發(fā)光單元為圓柱形、正圓臺形或倒圓臺形,發(fā)光單元以并聯(lián)的形式組成單個的大功率LED芯片。
6.如權(quán)利要求1所述的大尺寸LED芯片,其特征在于所述襯底為絕緣型襯底,所述發(fā)光單元為臺形結(jié)構(gòu),臺形的臺基為圓柱形、正圓臺形或倒圓臺形中的一種,臺面為圓柱形、正圓臺形或倒圓臺形中的一種,發(fā)光單元以串聯(lián)或并聯(lián)的形式組成單個的大功率LED芯片。
7.如權(quán)利要求5或6所述的大尺寸LED芯片,其特征在于所述正圓臺形和倒圓臺形的側(cè)壁與垂直方向的夾角為0°-60°。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





