[實用新型]熱致發聲裝置

有效

• 申請號: 201220615436.8
• 申請日: 2012-11-20
• 公開（公告）號: CN203167267U
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 魏洋;林曉陽;姜開利;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H04R23/00
• 分類號: H04R23/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種熱致發聲裝置，包括：?

一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面；?

一熱致發聲元件，設置于所述基底的第一表面并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發聲元件電連接；?

其特征在于，所述基底為一硅基底，所述硅基底的第一表面形成有多個相互平行且間隔設置的凹槽，所述凹槽的深度為100微米至200微米，所述熱致發聲元件包括一層狀碳納米管結構，該層狀碳納米管結構在所述凹槽處懸空設置。?

2.如權利要求1所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述基底的面積為25平方毫米至100平方毫米。?

3.如權利要求1所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述凹槽的寬度大于等于0.2毫米且小于1毫米。?

4.如權利要求1所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述層狀碳納米管結構為多個碳納米管組成的層狀結構，該多個碳納米管沿同一方向延伸，且所述多個碳納米管的延伸方向與所述凹槽的延伸方向形成一夾角，該夾角大于0度小于等于90度。?

5.如權利要求4所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述層狀碳納米管結構包括一碳納米管膜，所述碳納米管膜為多個沿同一方向擇優取向延伸的碳納米管組成的膜狀結構，該多個碳納米管平行于所述基底的第一表面。?

6.如權利要求4所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述層狀碳納米管結構在所述凹槽位置包括多個相互平行且間隔設置的碳納米管線。?

7.如權利要求4所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述層狀碳納米管結構包括多個平行且間隔設置的碳納米管線，所述多個碳納米管線的延伸方向與所述凹槽的延伸方向形成一夾角，該夾角大于0度小于等于90度，所述碳納米管線包括多個碳納米管沿該碳納米管線的長度方向平行排列或沿該碳納米管線的長度方向呈螺旋狀排列。?

8.如權利要求6所述的熱致發聲裝置，其特征在于，相鄰碳納米管線之間的間?隔為0.1微米至200微米。?

9.如權利要求1所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述熱致發聲元件通過一設置于基底第一表面的絕緣層與所述基底絕緣。?

10.如權利要求1所述的熱致發聲裝置，其特征在于，進一步包括多個第一電極及多個第二電極交替設置于所述相鄰凹槽之間的基底表面，所述多個第一電極形成一第一梳狀電極，多個第二電極形成一第二梳狀電極，所述第一梳狀電極和第二梳狀電極相互交錯的插入設置。?

11.如權利要求1所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述基底的第二表面進一步包括一集成電路芯片與所述熱致發聲元件電連接，向所述熱致發聲元件輸入信號。?

12.如權利要求11所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述集成電路芯片通過微電子工藝直接制備在該硅基底上。?

13.如權利要求12所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述集成電路芯片分別與所述第一電極和第二電極電連接，輸出音頻電信號給所述熱致發聲元件。?

14.一種熱致發聲裝置，包括：?

一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面；?

一熱致發聲元件，設置于所述基底的第一表面并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發聲元件電連接；?

其特征在于，所述基底的第一表面形成有多個均勻分布且間隔設置的凹部，所述凹部的深度為100微米至200微米，所述熱致發聲元件包括一層狀碳納米管結構，該層狀碳納米管結構在所述凹部處懸空設置。?

15.如權利要求14所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述基底的第二表面進一步設置有與第一表面相同的凹部和熱致發聲元件。?

16.如權利要求14所述的熱致發聲裝置，其特征在于，所述凹部為呈陣列設置的多個凹孔。?

17.一種熱致發聲裝置，包括：?

一基底，具有一第一表面以及相對的第二表面；?

一熱致發聲元件，設置于所述基底的第一表面并與所述基底絕緣設置；以及一第一電極和一第二電極間隔設置并與所述熱致發聲元件電連接；?

其特征在于，所述基底的第一表面形成有多個凹部，一第一絕緣層及一第二絕緣層依次層疊設置于所述凹部之間基底的第一表面，并使所述多個凹部暴露，一第三絕緣層連續地設置并覆蓋所述層疊設置的第一絕緣層及第二絕緣層以及所述凹部的側面和底面，所述熱致發聲元件設置在所述第三絕緣層的表面，且相對于所述凹部位置處的部分懸空設置。?