[實(shí)用新型]多晶硅還原爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220614289.2
• 申請(qǐng)日: 2012-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202988740U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)大洲;肖榮暉;毋克力;湯傳斌;汪紹芬;姚心
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C01B33/035
• 分類(lèi)號(hào): C01B33/035
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種多晶硅還原爐，其特征在于，包括：

底盤(pán)和爐體，所述爐體連接在所述底盤(pán)上且在所述爐體與所述底盤(pán)之間限定出反應(yīng)腔室；

三十對(duì)電極，所述三十對(duì)電極設(shè)在所述底盤(pán)上且分別分布在第一至第六圈上，所述第一至第六圈為以所述底盤(pán)中心為中心且由內(nèi)向外依次增大的六個(gè)同心正五邊形；

進(jìn)氣系統(tǒng)，所述進(jìn)氣系統(tǒng)包括設(shè)在所述底盤(pán)中部的多個(gè)噴嘴；和

排氣系統(tǒng)，所述排氣系統(tǒng)包括多個(gè)排氣口，所述排氣口設(shè)在所述底盤(pán)上且位于所述第五圈與所述底盤(pán)的外周沿之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，在所述第一圈的每條邊上分布有一個(gè)電極，在所述第二圈的每條邊上分布有一個(gè)電極，所述第一圈上的五個(gè)電極與所述第二圈上的五個(gè)電極一一對(duì)應(yīng)以構(gòu)成五對(duì)電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，在所述第三圈的每條邊上分布有二個(gè)電極，在所述第四圈的每條邊上分布有二個(gè)電極，所述第三圈上的十個(gè)電極與所述第四圈上的十個(gè)電極一一對(duì)應(yīng)以構(gòu)成十對(duì)電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，在所述第五圈的每條邊上分布有三個(gè)電極，在所述第六圈的每條邊上分布有三個(gè)電極，所述第五圈上的十五個(gè)電極與所述第六圈上的十五個(gè)電極一一對(duì)應(yīng)以構(gòu)成十五對(duì)電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述第一至第六圈的對(duì)應(yīng)邊彼此平行。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述多個(gè)噴嘴分別分布在所述底盤(pán)中心處以及第七至第九圈上，所述第七至第九圈為以所述底盤(pán)中心為中心且由內(nèi)向外依次增大的三個(gè)同心正五邊形，其中所述第七圈位于第一和第二圈之間，所述第八圈位于所述第三和第四圈之間，所述第九圈位于所述第五和第六圈之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述第一至第九圈的對(duì)應(yīng)邊彼此平行。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述多個(gè)噴嘴的數(shù)量為二十六個(gè)，其中在所述第七圈上分布有五個(gè)噴嘴，在所述第八圈上分布有十個(gè)噴嘴，在所述第九圈上分布有十個(gè)噴嘴，其中第七至第九圈中的任一圈上的噴嘴與和其相鄰的圈上的電極沿周向交錯(cuò)布置。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述底盤(pán)上形成有氣體腔，所述二十六個(gè)噴嘴分別與所述氣體腔相連，所述進(jìn)氣系統(tǒng)還包括：

進(jìn)氣環(huán)管，所述進(jìn)氣環(huán)管位于所述底盤(pán)下方且與外部氣源相連通；

五個(gè)進(jìn)氣管，所述五個(gè)進(jìn)氣管分別與所述進(jìn)氣環(huán)管和所述氣體腔相連。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述底盤(pán)內(nèi)形成有位于所述氣體腔上面的第一冷卻腔，且所述第一冷卻腔具有第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口和多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口，所述第一冷卻介質(zhì)進(jìn)口位于所述底盤(pán)的中央，而所述多個(gè)第一冷卻介質(zhì)出口與所述多個(gè)排氣口一一對(duì)應(yīng)設(shè)置，每個(gè)所述第一冷卻介質(zhì)出口連接有第一冷卻管且每個(gè)所述排氣口連接有尾氣管，所述第一冷卻管套設(shè)在所述尾氣管上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述多個(gè)排氣口的數(shù)量為三至十二個(gè)且分布在以所述底盤(pán)的中心為圓心的一個(gè)圓周上。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體內(nèi)設(shè)有第二冷卻腔且所述第二冷卻腔連接有第二冷卻介質(zhì)進(jìn)口和第二冷卻介質(zhì)出口，所述第二冷卻介質(zhì)進(jìn)口位于所述爐體的底部且所述第二冷卻介質(zhì)出口位于所述爐體的頂部，所述第二冷卻腔內(nèi)設(shè)有多個(gè)隔流擋板，所述多個(gè)隔流擋板在所述第二冷卻腔內(nèi)由下至上繞所述反應(yīng)腔室呈螺旋狀分布。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體包括位于下部的筒體和設(shè)在所述筒體頂端的封頭，所述封頭為中空半球體。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的多晶硅還原爐，其特征在于，所述爐體上還設(shè)有多個(gè)觀察鏡，所述多個(gè)觀察鏡在所述筒體的高度方向上均勻分布成多排且所述多個(gè)觀察鏡沿所述筒體的周向均勻分布。