[實用新型]用于多晶硅還原爐的底盤組件

有效

• 申請號: 201220614286.9
• 申請日: 2012-11-19
• 公開（公告）號: CN202988739U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 嚴大洲;肖榮暉;毋克力;湯傳斌;汪紹芬;姚心
• 申請（專利權）人: 中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，包括：

底盤本體；

二十四對電極，所述二十四對電極設在所述底盤本體上且分別分布在第一至第四圈上，所述第一至第四圈為以所述底盤本體的中心為中心且由內向外依次增大的四個同心正八邊形；

進氣系統，所述進氣系統包括設在所述底盤本體中部的多個進氣口；和

排氣系統，所述排氣系統包括多個排氣口，所述排氣口設在所述底盤本體上且位于所述第四圈與所述底盤本體的外周沿之間。

2.根據權利要求1所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，在所述第一圈的每條邊上分布有一個電極，在所述第二圈的每條邊上分布有一個電極，所述第一圈上的八個電極與所述第二圈上的八個電極一一對應以構成八對電極。

3.根據權利要求1所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，在所述第三圈的每條邊上分布有二個電極，在所述第四圈的每條邊上分布有二個電極，所述第三圈上的十六個電極與所述第四圈上的十六個電極一一對應以構成十六對電極。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，所述第一至第四圈的對應邊彼此平行。

5.根據權利要求1所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，所述多個進氣口分別分布在所述底盤本體的中心處以及第五和第六圈上，所述第五和第六圈為以所述底盤本體的中心為中心且由內向外依次增大的二個同心正八邊形，其中所述第五圈位于第一和第二圈之間，所述第六圈位于所述第三和第四圈之間。

6.根據權利要求5所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，所述第一至第六圈的對應邊彼此平行。

7.根據權利要求5所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，所述多個進氣口的數量為二十五個，其中在所述第五圈上分布有八個進氣口，在所述第六圈上分布有十六個進氣口，其中第五和第六圈中的任一圈上的進氣口與和其相鄰的圈上的電極沿周向交錯布置。

8.根據權利要求7所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，所述進氣系統還包括：

進氣環管，所述進氣環管位于所述底盤本體下方且與外部氣源相連通；

二十五個進氣管，所述二十五個進氣管分別與所述二十五個進氣口一一對應且所述二十五個進氣口通過所述二十五個進氣管與所述進氣環管相連接。

9.根據權利要求1所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，所述多個排氣口的數量為三至十二個且分布在以所述底盤本體的中心為圓心的一個圓周上。

10.根據權利要求1所述的用于多晶硅還原爐的底盤組件，其特征在于，所述底盤內形成有第一冷卻腔，且所述第一冷卻腔具有第一冷卻介質進口和多個第一冷卻介質出口，所述第一冷卻介質進口位于所述底盤的中央，而所述多個第一冷卻介質出口與所述多個排氣口一一對應設置，每個所述第一冷卻介質出口連接有第一冷卻管且每個所述排氣口連接有尾氣管，所述第一冷卻管套設在所述尾氣管上。