[實用新型]具有排水結構的光罩盒

有效

• 申請號: 201220608737.8
• 申請日: 2012-11-08
• 公開（公告）號: CN203127494U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 古震維;呂保儀;林志銘;盛劍平
• 申請（專利權）人: 家登精密工業股份有限公司
• 主分類號: B65D85/38
• 分類號: B65D85/38
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本實用新型是有關于一種光罩盒，特別是有關于一種具有排水結構的光罩盒。?

背景技術

近代半導體科技發展迅速，其中光學微影技術(Optical?Lithography)扮演重要的角色，只要是關于圖形(Pattern)定義，皆需仰賴光學微影技術。光學微影技術在半導體的應用上，是將設計好的線路制作成具有特定形狀可透光的光罩(Photo?Mask?or?Reticle)。利用曝光原理，則光源通過光罩投影至硅片(Silicon?Wafer)可曝光顯示特定圖案。由于任何附著于光罩上的塵埃顆粒(如微粒、粉塵或有機物)都會造成投影成像的質量劣化，用于產生圖形的光罩必須保持絕對潔凈，因此在一般的硅片工藝中，都提供無塵室(Clean?Room)的環境以避免空氣中的顆粒污染。?

而近年來為了生產更小的芯片，微影設備已開始使用波長為157nm的極紫外光(Extreme?Ultraviolet?Light，EUV)，以便使光罩上的圖形(Pattern)復制于硅片表面時能達到更小的分辨率。然而，使用深紫外光時，相對地，對于光罩盒的潔凈要求更加提高。以往光罩盒內的微粒(Particle)若小于30微米是可接受的，但用于極紫外光的光罩盒則必須要將微粒(Particle)大小控制在30～50納米以下。?

因此，現代的半導體工藝皆利用抗污染的光罩存放裝置進行光罩的保存與運輸，以使光罩保持潔凈；也利用抗污染的半導體組件存放裝置進行半導體組件的保存與運輸，以使半導體組件保持潔凈。光罩存放裝置是在半導體工藝中用于存放光罩，以利光罩在機臺之間的搬運與傳送，并隔絕光罩與大氣的接觸，避免光罩被粒子與化學氣體污染而產生光罩表面霧化。因此，在先進的半導體廠中，通常會要求該種用以存放半導體組件或光罩的存放裝置的潔凈度要符合機械標準接口(Standard?Mechanical?Interface；SMIF)，也就是說保持潔凈度在Class?1以下。?

為了減少光罩于儲存、制造、運輸期間被污染，公知技術已發展出一種以雙層容器來將光罩隔絕的技術，是以一內部容器來承載光罩，并再以一外部容?器將內部容器固定于其中的光罩盒。如圖8所示，由一內部容器的下蓋c與內部容器的上蓋d將光罩e蓋合并固定于其中，之后再以一外部容器的下蓋a與外部容器的上蓋b將內部容器蓋合并固定于其中。在雙層容器的光罩盒結構在清洗時，由外部容器的底部周邊并未設計排水孔，因此在清洗時，容易導致水份無法順利清除，導致水漬或其它污染物的殘留，進而導致污染光罩的機率。?

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種具有排水結構的光罩盒，以解決公知技術中存在的問題。?

為實現上述目的，本實用新型提供的光罩盒，其包括：?

一外盒，包括：?

一外盒下蓋，具有一第一內表面及與該第一內表面連接的四周邊，且該第一內表面上具有多個第一支撐件，在該外盒下蓋上配置多個排水孔；?

一外盒上蓋，具有一第二內表面，且該第二內表面上形成有多個第二支撐件，且于該外盒下蓋與該外盒上蓋蓋合時，該第一內表面與該第二內表面形成一第一容置空間；?

一內盒，包括：?

一內盒下蓋，配置于該第一容置空間內并與該多個第一支撐件接觸，且該內盒下蓋具有一內盒第一內表面；及?

一內盒上蓋，位于該第一容置空間內，其具有一內盒第二內表面及相對于該第二內表面另一側的一內盒上蓋外表面，且于該內盒下蓋與該內盒上蓋蓋合時，該內盒第一內表面與該內盒第二內表面形成一第二容置空間以容置一光罩；?

多個貫穿孔，形成在該內盒上蓋的該第二內表面及該外表面之間；及?

多個固持件，配置于每一該貫穿孔中，其位置是與該外盒上蓋的每一該第二支撐件相對應。?

所述的光罩盒，其中，該內盒上蓋的該內盒上蓋外表面配置多個第一固定件，該多個第一固定件分別覆蓋該多個貫穿孔，并用以固定該固持件，該第一固定件是以螺絲鎖固于該內盒上蓋，該固持件的材質為一耐磨的高分子材料。?

所述的光罩盒，其中，該內盒上蓋的該內盒上蓋外表面具有至少一過濾孔，且配置至少一過濾裝置于該過濾孔上，其中該過濾裝置包括：?

一過濾材質，配置于該過濾孔上；及?

一第二固定件，配置于該內盒上蓋外表面，并覆蓋該過濾孔，用以固定該過濾材質于該過濾孔，該第二固定件是以螺絲鎖固于該內盒上蓋外表面；?

其中，該過濾材質為一多孔性過濾膜。?