[實用新型]用于密碼芯片的抗功耗分析攻擊的穩壓器、密碼芯片有效
| 申請號： | 201220605165.8 | 申請日： | 2012-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN203180937U | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 白蓉蓉;楊培;劉忠志;曹靖 | 申請（專利權）人： | 北京昆騰微電子有限公司 |
| 主分類號： | H04L9/18 | 分類號： | H04L9/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100195 北*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 密碼 芯片 功耗 分析 攻擊 穩壓器 | ||
1.一種用于密碼芯片的抗功耗分析攻擊的穩壓器，其特征在于，包括：?
第一PMOS管和第二PMOS管組成的電流鏡，其中，所述第一PMOS管的源極為參考電壓輸入端，所述第二PMOS管的源極為所述穩壓器的電壓輸出端；?
第一電流源，連接在所述第一PMOS管的源極和電源之間；?
第二電流源，連接在所述第一PMOS管的漏極和公共地之間；?
第三電流源，連接在所述第二PMOS管的漏極和公共地之間；?
控制字發生器，用于根據所述密碼芯片的狀態，生成電流控制字；?
分流電流源，連接在所述第二PMOS管的源極和電源之間，所述分流電流源的電流值由所述電流控制字控制，其中，當所述密碼芯片處于加解密運算狀態時，所述電流控制字為隨機碼，所述分流電流源的電流值為隨機電流值；?
第三NMOS管，連接在所述第二PMOS管的源極與公共地之間。?
2.根據權利要求1所述的穩壓器，其特征在于，還包括：?
串聯連接的電阻和電容，連接在所述第三NMOS管的漏極和柵極之間。?
3.根據權利要求1所述的穩壓器，其特征在于，還包括：?
旁路電容，連接在所述第二PMOS管的源極和公共地之間。?
4.根據權利要求1所述的穩壓器，其特征在于，還包括：?
第四NMOS管，連接在所述第二PMOS管的源極與電源之間；?
上電控制電路，連接在所述第四NMOS管的柵極與所述第二PMOS管的源極之間，用于根據所述電壓輸出端的電壓值，生成使得所述第四NMOS管導通的偏置電壓。?
5.一種密碼芯片，包括參考電壓提供模塊、穩壓器和密碼模塊，其特征在于，所述穩壓器包括：?
第一PMOS管和第二PMOS管組成的電流鏡，其中，所述第一PMOS管的源極為參考電壓輸入端，所述第二PMOS管的源極為所述穩壓器的電壓輸出端；?
第一電流源，連接在所述第一PMOS管的源極和電源之間；?
第二電流源，連接在所述第一PMOS管的漏極和公共地之間；?
第三電流源，連接在所述第二PMOS管的漏極和公共地之間；?
控制字發生器，用于根據所述密碼芯片的狀態，生成電流控制字；?
分流電流源，連接在所述第二PMOS管的源極和電源之間，所述分流電流源的電流值由所述電流控制字控制，其中，當所述密碼芯片處于加解密運算狀態時，所述電流控制字為隨機碼，所述分流電流源的電流值為隨機電流值；?
第三NMOS管，連接在所述第二PMOS管的源極與公共地之間。?
6.根據權利要求5所述的密碼芯片，其特征在于，所述穩壓器還包括：?
串聯連接的電阻和電容，連接在所述第三NMOS管的漏極和柵極之間。?
7.根據權利要求5所述的密碼芯片，其特征在于，所述穩壓器還包括：?
旁路電容，連接在所述第二PMOS管的源極和公共地之間。?
8.根據權利要求5所述的密碼芯片，其特征在于，所述穩壓器還包括：?
第四NMOS管，連接在所述第二PMOS管的源極與電源之間；?
上電控制電路，連接在所述第四NMOS管的柵極與所述第二PMOS管的源極之間，用于根據所述電壓輸出端的電壓值，生成使得所述第四NMOS管導通的偏置電壓。?
9.根據權利要求5所述的密碼芯片，其特征在于，所述密碼芯片還包括時鐘信號發生器。?
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