[實用新型]微機電傳聲器芯片有效
| 申請號： | 201220603899.2 | 申請日： | 2012-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN202957975U | 公開（公告）日： | 2013-05-29 |
| 發明（設計）人： | 蔡孟錦 | 申請（專利權）人： | 歌爾聲學股份有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/04 | 分類號： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 北京市隆安律師事務所 11323 | 代理人： | 權鮮枝;何立春 |
| 地址： | 261031 山東省濰*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微機 傳聲器 芯片 | ||
1.一種微機電傳聲器芯片，其特征在于，包括：基底、阻擋層、背極板、支撐層、振膜、第一金屬電極和第二金屬電極；
其中，基底上表面為阻擋層，阻擋層之上為背極板，背極板之上為支撐層，支撐層之上為振膜；
基底與阻擋層的中心有一貫通孔，為背腔；支撐層的中心有一與背腔對應的貫通孔，使得振膜與背極板之間形成氣隙，背腔與氣隙之間隔著背極板；
背極板由導電層和絕緣層構成，其中導電層只設置在與振膜的振動區域對應的位置以及與第一金屬電極對應的位置；
支撐層上有向下豎直開的上電極孔，上電極孔穿透支撐層，第一金屬電極設置在上電極孔中并與導電層直接接觸；第二金屬電極設置在振膜上。
2.如權利要求1所述的微機電傳聲器芯片，其特征在于，
所述基底為氮化硅。
3.如權利要求1所述的微機電傳聲器芯片，其特征在于，
所述阻擋層是氧化硅膜，或者是多晶硅和氮化硅的復合膜。
4.如權利要求1所述的微機電傳聲器芯片，其特征在于，
所述振膜是多晶硅膜。
5.如權利要求1所述的微機電傳聲器芯片，其特征在于，
所述支撐層為絕緣材料。
6.如權利要求5所述的微機電傳聲器芯片，其特征在于，
所述支撐層為氧化硅。
7.如權利要求1所述的微機電傳聲器芯片，其特征在于，
所述背極板的中部與氣隙對應的位置，設置有多個聲孔，聲孔與氣隙和背腔均相通。
8.如權利要求1至7中任一項所述的微機電傳聲器芯片，其特征在于，
所述背極板的導電層為多晶硅；
所述背極板的絕緣層為氮化硅。
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