[實用新型]太陽能電池正面電極的布局結構有效
| 申請號: | 201220601542.0 | 申請日: | 2012-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN202905726U | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | 李虎明;陳金燈;呂紹杰;董方 | 申請(專利權)人: | 橫店集團東磁股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人: | 尉偉敏 |
| 地址: | 322118 浙江省金*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 正面 電極 布局 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,尤其是涉及一種太陽能電池正面電極的布局結構。
背景技術
傳統晶硅太陽能電池制造工藝分為:制絨、擴散制PN結、清洗、PECVD等離子體氣相沉積鍍減反射膜、絲網印刷制電極、燒結形成歐姆接觸幾個步驟,其中絲印所用的網版是由不銹鋼絲織成不同網目大小的網紗及涂在網紗上的乳膠裝在網框上形成的,網版的參數有:目數、鋼絲線徑、開口、膜厚。絲網印刷制備太陽能電池電極主要包括背面背光面電極印刷、背面鋁背場印刷以及正面受光面電極印刷,其主要原理是印刷圖形復制在網版上,通過給予一定壓力及速度的刮刀刷過網上,將網版上的導電漿料從開口處印刷在硅片上。
當前,產業中的電池片光電轉換效率比以前提高很多,但晶硅太陽能電池的價格急劇下滑。以125單晶為例,近3年來從人民幣30元每片降到目前8元每片,因此控制電池片的生產成本顯得非常重要。在整個晶硅太陽能電池片生產中,電池片銀漿成本占很大一部分。例如,每片125單晶硅太陽能電池所需銀漿大約0.09g-0.15g左右,折合人民幣大約是1元到2元左右,這在目前電池片利潤只有幾毛錢的市場行情下,控制銀漿的消耗尤為重要。
申請號為201120544842.5?、名稱為“一種太陽能電池片及其對應的電極印刷網版”的中國專利文件公開了一種太陽能電池正面電極的布局結構,“所述太陽能電池片包括電池片襯底及印刷在所述襯底上的電極,所述電極包括若干條主柵線,所述主柵線上有若干用作測試的節點,其特征在于,所述主柵線線徑為0.1-1mm,所述電極印刷網板設置有用于形成所述電極的主柵線以及節點的圖案?!痹搶@噲D通過減少太陽能電池正面電極的主柵線形狀來減少電池片銀漿的消耗量,以期由此來降低太陽能電池片的制造成本。
申請號:201120417363.7、名稱為“晶體硅太陽能電池正面電極布局結構”的中國專利文件公開了另一種太陽能電池正面電極的布局結構,“包括主柵和副柵,所述主柵上沿長度方向間隔設置有若干個鏤空空間,所述若干個鏤空空間將主柵分隔開來?!痹搶@械闹鳀啪€的實心區域與前述專利中的測試節點相對應,該專利試圖通過在主柵上設置鏤空區段來降低主柵銀漿使用量,并由此來降低太陽能電池片的制造成本。
以上兩個專利,電池正面電極布局結構的共同特點是:包括兩到三根相互平行的主柵線直線狀和多條相互平行的、線寬遠小于主柵線線寬即測試節點線寬的副柵線直線狀,副柵線和主柵線垂直相交。這樣的主副柵線布局結構,原本就存在的問題是:由于副柵線線寬較細,在加工和使用中容易出現中斷,而一旦最外側的副柵線出現斷點,則遠離主柵線的那段副柵線就不再對太陽能電池片的光電轉換作出貢獻,從而降低太陽能電池片的光電轉換性能,因此這種布局結構的可靠性較低,而為了保證一定的光電轉換性能,就又需要相應地提高副柵線的布局密度,不利于降低太陽能電池片的生產成本。而現在上面兩個專利,由于主柵線實心區域之間的連線部分的線寬大大降低,這部分的主柵線亦存在容易出現中斷的問題,一旦在同一段連線出現兩個斷點,則會使多根副柵線成為廢線,因此以上兩個專利加重了現有電池正面電極布局結構的可靠性問題。
發明內容
本實用新型主要是解決現有太陽能電池片的電池正面電極布局結構所存在的可靠性差的技術問題,提供一種光電轉換性能好、工作穩定可靠且生產成本低的太陽能電池正面電極的布局結構。
本實用新型所用的技術方案是:一種太陽能電池正面電極的布局結構,包括若干相互平行的主柵線、若干相互平行的副柵線,主柵線由若干測試節點、節點連線和主柵線線頭構成,副柵線包括位于外側的兩根主柵線之間、兩端分別和位于外側的相應主柵線垂直相連的中間副柵線和位于外側的主柵線之外側的邊副柵線組成,副柵線和主柵線垂直相交;?節點連線由線寬大于等于0.1mm且小于等于測試節點線寬的四分之一的單根直線線段構成,或由線寬大于等于0.05mm且小于等于節點線寬的四分之一的兩根平行直線線段構成,位于同一側的邊副柵線的自由端部用線寬小于等于節點線寬的八分之一的邊連線相連在一起。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





