[實用新型]一種電磁場發生器電路結構

有效

• 申請號: 201220599120.4
• 申請日: 2012-11-14
• 公開（公告）號: CN202998534U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 林華鄉;許耀元;張英彪
• 申請（專利權）人: 明達實業（廈門）有限公司
• 主分類號: H05B6/06
• 分類號: H05B6/06
• 代理公司: 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203
• 代理人: 朱凌

技術領域

本實用新型涉及加熱裝置領域，更具體的說涉及一種電磁場發生器電路結構，其用于產生高頻磁場，以供加熱管能基于所產生的渦流而發熱。

背景技術

目前在加熱領域，人們研究開發出了一種可以實現水電分離的電磁熱水管，諸如中國實用新型專利CN2713367Y，其將線圈緊繞在一段絕緣不導磁的水管外圈而組成一個螺旋管，并在該螺旋管內設置加熱組件。如此，當往該線圈中通以高頻電流時，該螺旋管內即產生高頻交變磁場，該加熱組件在高頻交變磁場的作用下產生渦流發熱，從而實現加熱的功效。

但是，對于該高頻磁場如何產生和設置，則未給予具體公開，目前通常是采用線圈與現有技術中的高頻發生器直接相連的方式，如此具有成本高、容易損壞以及實際應用效率低等缺陷。

有鑒于此，本發明人針對現有技術中的上述缺陷深入研究，遂有本案產生。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種電磁場發生器電路結構，其可以用于產生高頻交變磁場，并且還具有結構簡單和成本低的特點。

為了達成上述目的，本實用新型的解決方案是：

一種電磁場發生器電路結構，其中，包括濾波保護電路、電壓檢測電路、整流濾波模塊、CPU控制模塊以及用于產生電磁場的電磁場產生模塊，該濾波保護電路設置在整流濾波模塊與市電輸入之間，該電壓檢測電路與濾波保護電路相連而檢測市電的輸入電壓，并將檢測獲得的電壓信號輸送至CPU控制模塊，該電磁場產生模塊與整流濾波模塊和CPU控制模塊均相連。

進一步，該電磁場產生模塊為單管電磁場發生器，其具有第一電容、自激振蕩電路、第一IGBT管以及反饋檢測電路，該第一電容并聯設置在加熱模塊兩端，該第一電容通過整流濾波模塊與市電輸入相連，該CPU控制模塊與自激振蕩電路相連并將其產生PWM控制信號發送至自激振蕩電路，該第一IGBT管和反饋檢測電路分別設置在自激振蕩電路與第一電容之間，該反饋檢測電路檢測加熱模塊是否與第一電容相連并將反饋信號發送至自激振蕩電路，該自激振蕩電路在加熱模塊已加載時產生自激并通過第一IGBT管向并聯的第一電容和負載電感提供高頻信號。

進一步，該單管電磁場發生器還包括第二IGBT管和推挽電路，該第二IGBT管亦與第一電容相連，該推挽電路設置在第一IGBT管、第二IGBT管與自激振蕩電路之間而使得第一IGBT管和第二IGBT管同時向并聯的第一電容和負載電感提供高頻信號。

進一步，該反饋檢測電路為設置在第一IGBT管和第二IGBT管與自激振蕩電路之間的第一反饋電阻R4和第二反饋電阻R5，該第一反饋電阻R4用于反饋整流后的電源電壓，該第二反饋電阻R5用于反饋第一IGBT管和第二IGBT管的C極電壓，并在C極電壓過高時關閉第一IGBT管和第二IGBT管的驅動信號，該第一反饋電阻R4和第二反饋電阻R5還組成同步諧振頻率跟蹤信號反饋電路。

進一步，該電磁場產生模塊為半波電磁場發生器，其具有第三IGBT管、第二電容、第四IGBT管、第三電容、38譯碼器以及具有互鎖和可調節驅動信號功能的功能芯片，該整流濾波模塊與市電輸入相連而形成直流輸入，該第三IGBT管、第二電容、第四IGBT管、第三電容以及加熱模塊一起組成H橋，該CPU控制模塊與功能芯片相連并還通過38譯碼器而調節功能芯片所輸出方波的頻率，該第三IGBT管的門極和第四IGBT管的門極與功能芯片相連而分別接收功能芯片所產生的互鎖方波。

進一步，該半波電磁場發生器還包括負載頻率檢測電路以及IGBT驅動芯片，該IGBT驅動芯片設置在CPU控制模塊與功能芯片之間，該負載頻率檢測電路檢測諧振回路的頻率并將振蕩頻率反饋至CPU控制模塊，該CPU控制模塊則將通過IGBT驅動芯片產生驅動信號以使系統維持在諧振點上。

進一步，該電磁場產生模塊為全橋電磁場發生器，其具有第四電容、第五IGBT管、第六IGBT管、第七IGBT管、第八IGBT管、他激轉自激電路、第一鎖相環、相差控制比較器以及第二鎖相環，該整流濾波模塊與市電輸入相連而形成直流輸入，該第五IGBT管、第六IGBT管、第七IGBT管、第八IGBT管與第四電容和加熱模塊一起組成H橋，該CPU控制模塊通過他激轉自激電路而與第一鎖相環相連，該第一鎖相環的輸出與第五IGBT管的門極相連，該第一鎖相環的輸出還通過第一反相器而與第七IGBT管的門極相連；該第一鎖相環通過相差控制比較器而與第二鎖相環相連，該第二鎖相環的輸出與第六IGBT管的門極相連，該第二鎖相環的輸出還通過第二反相器而與第八IGBT管的門極相連。