[實用新型]機車用晶閘管有效
| 申請號： | 201220591207.7 | 申請日： | 2012-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN202917496U | 公開（公告）日： | 2013-05-01 |
| 發明（設計）人： | 楊成標;吳擁軍;張橋;劉小俐;李嫻;張明輝;任麗 | 申請（專利權）人： | 湖北臺基半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/74 | 分類號： | H01L29/74;H01L29/06 |
| 代理公司： | 襄陽嘉琛知識產權事務所 42217 | 代理人： | 嚴崇姚 |
| 地址： | 441021 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 機車 晶閘管 | ||
【權利要求書】：
1.一種機車用晶閘管，包括管殼或塑封殼體、封裝在該管殼或塑封殼體內包括陽極摻雜區P（1）、長基區N（2）、陰極面N型層、門極短基區P型區域（3）構成的PNPN四層結構的半導體芯片、陽極鉬片（5）、陰極表面金屬鍍層、以及芯片臺面保護膠層，其特征在于：所述的PNPN四層結構半導體芯片的陽極摻雜區P（1）表面為化學粗糙度層，且在陽極摻雜區P（1）陽極面設有陽極P+重摻雜區（8），陰極面N型層設有陰極摻雜區N（4），形成P+PNPN+四層結構的半導體芯片。
2.根據權利要求1所述的一種機車用晶閘管，其特征在于：所述的陽極摻雜區P（1）為表面濃度2~8x1017cm-3、結深45~130μm的陽極表面層。
3.根據權利要求1或2所述的一種機車用晶閘管，其特征在于：所述的陰極摻雜區N（4）為表面濃度2~9x1020cm-3、結深10~50μm的高濃度N型層。
4.根據權利要求1或2所述的一種機車用晶閘管，其特征在于：所述的長基區N（2）厚度為50-500μm。
5.根據權利要求1或2所述的一種機車用晶閘管，其特征在于：所述的陽極P+重摻雜區（8）摻雜濃度高于陰極摻雜區N（4）摻雜濃度，陽極P+重摻雜區（8）結深小于門極短基區P型區域結深。
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