[實用新型]透明導電體有效
| 申請號: | 201220590736.5 | 申請日: | 2012-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN202976874U | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 劉偉;唐根初;龔薇;唐彬;程志政 | 申請(專利權)人: | 深圳歐菲光科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B13/00;G06F3/044 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 生啟;鄧云鵬 |
| 地址: | 518106 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 導電 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種透明導電體。
背景技術
電容觸摸屏以其透明度高,多點觸摸,壽命長等居多優點,近年來,越來越受到市場的青睞。目前,通常采用真空蒸鍍或者磁控濺射方式將透明導電材料氧化銦錫(ITO)鍍制在PET或者玻璃基板上形成透明導電體以應用于電容觸摸屏。
然而,銦是一種稀有金屬,在大自然中儲量比較小,價格比較昂貴,從而使得透明導電體的成本較高。
實用新型內容
基于此,有必要提供一種成本較低的透明導電體。
一種透明導電體,包括依次層疊的透明基材、導電網及絕緣保護層,所述導電網鋪設于所述透明基材上,所述絕緣保護層遠離所述透明基材的一側表面為平面。
在其中一個實施例中,所述透明基材的厚度為50μm~700μm。
在其中一個實施例中,導電網的厚度為1μm~10μm。
在其中一個實施例中,所述導電網由多根導電線構成。
在其中一個實施例中,所述導電線選自金屬線、金屬合金線、碳納米管線、石墨烯線及導電高分子材料線中的至少一種。
在其中一個實施例中,所述導電線的寬度為0.2μm~5μm。
在其中一個實施例中,所述多根導電線交錯排布形成多個陣列排布的孔洞。
在其中一個實施例中,所述孔洞為正方形、長方形、三角形、菱形或多邊形,相鄰的兩條導電線之間的距離為50μm~800μm。
在其中一個實施例中,至少一根金屬線斷開形成缺口,所述缺口連通相鄰的兩個孔洞。
在其中一個實施例中,所述絕緣保護層遠離所述透明基材的一側表面與所述導電網遠離所述透明基材的一側表面之間的距離小于10μm。
上述透明導電體,通過在透明基材表面鋪設導電網,避免使用氧化銦錫,從而透明導電體的成本較低;導電網表面形成有絕緣保護層,可以對導電網起到保護作用,防止導電網被刮花。
附圖說明
圖1為一實施方式的透明導電體的結構示意圖;
圖2為圖1中透明導電體的導電網的結構示意圖;
圖3為另一實施方式中透明導電體的導電網的結構示意圖;
圖4為另一實施方式中透明導電體的制備流程的示意圖;
圖5為另一實施方式的透明導電體的制備方法的流程圖。
具體實施方式
為了便于理解本實用新型,下面將參照相關附圖對本實用新型進行更全面的描述。附圖中給出了本實用新型的首選實施例。但是,本實用新型可以以許多不同的形式來實現,并不限于本文所描述的實施例。相反地,提供這些實施例的目的是使對本實用新型的公開內容更加透徹全面。
需要說明的是,當元件被稱為“固設于”另一個元件,它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件,它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的。
除非另有定義,本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本實用新型的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文中在本實用新型的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施例的目的,不是旨在于限制本實用新型。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。
請參閱圖1,一實施方式的透明導電體10包括依次層疊的透明基材1、導電網2及絕緣保護層3。
透明基材1大體為片狀。透明基材1為玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等光學透明材料。優選的,透明基材1的厚度為50μm~700μm,優選為50μm~300μm。
導電網2鋪設于透明基材1的表面。導電網2的厚度為1μm~10μm,優選為2μm~5μm。
請同時參閱圖2及圖3,導電網2由多條導電線22排布形成。導電線22選自金屬線、金屬合金線、碳納米管線、石墨烯線及導電高分子材料線中的至少一種。導電線22為直線(如圖2所示),在其他實施例中導電線22也可以為曲線(如圖3所示)。需要說明的是,導電線22不限于為圖2及圖3所示的狀態,也可為其他不規則的柔線狀態。
優選的,導電線22的寬度為0.2μm~5μm,優選為0.5μm~2μm,相鄰的兩條導電線22之間的距離為50μm~800μm。需要說明的是,導電線條的密度及厚度可依材料需求之透過率和方塊電阻值來進行設計。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳歐菲光科技股份有限公司,未經深圳歐菲光科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220590736.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:防水型超六類電纜結構
- 下一篇:串聯ROM單元





