[實用新型]半導(dǎo)體器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220587134.4
• 申請日: 2012-11-08
• 公開（公告）號: CN202957248U
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊彥濤;李小峰;王平;張佼佼;蔣敏
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州士蘭集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件以及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種半導(dǎo)體器件。?

背景技術(shù)

集成電路制造外延淀積工藝中，根據(jù)晶體學(xué)平面生長的平面異性，一般情況下新生長的單晶會嚴(yán)格沿著襯底的原有晶向依次排序生長，但在實際的半導(dǎo)體加工過程中，外延前由于圖形間臺階的形成，使外延前的表面不是完全平整，整個襯底表面的原子排列不是連續(xù)的，根據(jù)外延生長特性，這種表面不連續(xù)狀態(tài)在外延淀積時會向上傳播，外延上的圖形（Pattern）會發(fā)生圖形的位移，此圖形位移稱為外延漂移（Pattern?Shift）；同時，由于這種表面不連續(xù)性，外延上的圖形還會發(fā)生圖形的變形，此圖形變形稱為外延畸變（Pattern?distortion）。對于<111>晶向而言，外延漂移主要發(fā)生在和定位邊平行的X方向，外延畸變則主要發(fā)生在和定位邊垂直的Y方向。?

例如，在外延生長的前道工藝中，埋層退火過程中因氧化引起的表面不連續(xù)狀態(tài)也會在外延淀積時向上傳播，外延淀積完成后表面出現(xiàn)的不連續(xù)位置相對外延下的埋層不連續(xù)位置發(fā)生橫向位移，此圖形變形稱為外延漂移。埋層時留下后續(xù)層次對位的標(biāo)記，在外延工藝中標(biāo)記也發(fā)生了漂移，同時，埋層退火過程中因氧化引起的表面不連續(xù)狀態(tài)也會在外延淀積時向上傳播，外延淀積完成后表面出現(xiàn)的不連續(xù)位置相對外延下的埋層不連續(xù)位置發(fā)生圖形變形，此圖形變形稱為外延畸變。埋層時留下后續(xù)層次對位的標(biāo)記，在外延工藝中標(biāo)記也發(fā)生了畸變，后續(xù)層次對位時需要找到前道留下的對位標(biāo)記，如果外延畸變量很大，標(biāo)記圖形將會嚴(yán)重的收縮變小，光刻就很難找到對位信號，光刻的對位精度就會很難保證甚至無法對位，綜上所述，研究外延畸變量和漂移量可以解決外延前后層次光刻對位精度的問題。?

目前，傳統(tǒng)的外延漂移量的計算方法是，在外延生長步驟后，在兩相鄰埋層的中央制備一隔離，退火后對半導(dǎo)體器件進(jìn)行切片，采用鉻酸腐蝕液對切片的斷面進(jìn)行30秒左右的腐蝕，如圖1所示，用高清晰度光學(xué)顯微鏡或掃描電子顯微鏡（SEM）等測試設(shè)備測試一埋層11到所述隔離的距離為a，另一埋層12到所述隔離130的距離為b，再測量外延層120的厚度c，則外延漂移量為（a-b）/2c。但該方法需要切片，并依賴于腐蝕液對襯底110、外延層120、隔離130腐蝕速率及腐蝕時間控制要求，且測量的過程繁瑣，特別對于采用外延層120后加工隔離130來做對比的過程，工藝流程復(fù)雜，加工完上隔離130后才確認(rèn)外延漂移量異常時，外延設(shè)備已經(jīng)加工了多爐次外延漂移異常的產(chǎn)品，監(jiān)控效率和意義不大。?

目前，傳統(tǒng)的外延畸變量的計算方法是在外延生長步驟前對芯片進(jìn)行切片，用高清晰度光學(xué)顯微鏡或掃描電子顯微鏡（SEM）等測試設(shè)備測試標(biāo)記埋層窗口尺寸c，然后，在外延生長步驟后對芯片進(jìn)行切片，用高清晰度光學(xué)顯微鏡或SEM測試標(biāo)記外延窗口尺寸d，兩者之差就是外延畸變量。如圖2所示，襯底110上具有標(biāo)記埋層窗口111，標(biāo)記埋層窗口111的尺寸為c，在襯底110上生長外延層120，由于標(biāo)記埋層窗口111的存在，使得外延層120生長時會產(chǎn)生標(biāo)記外延窗口121，標(biāo)記外延窗口121的尺寸為d，則畸變量為（c-d）。但該方法步驟繁雜，由于前后兩次切片不是在同一芯片的同一位置上，所以受芯片間加工工藝波動影響較大，不同芯片的標(biāo)記埋層窗口111的尺寸c之間和標(biāo)記外延窗口121的尺寸d之間均存在一定差別，而且該方法需要在測試設(shè)備中分兩次進(jìn)行測試，受測試設(shè)備狀態(tài)波動的影響，具有較大的測試誤差，因此，采用該傳統(tǒng)方法的精度不佳，且步驟繁瑣。?

因此，如何提供一種半導(dǎo)體器件，使外延漂移量和外延畸變量的測試精度高并且步驟簡單，已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的問題。?

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于，提供一種半導(dǎo)體器件，采用本實用新型的半導(dǎo)體器件的制備方法測量外延漂移量，測試精度高并且步驟簡單。?

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種半導(dǎo)體器件，包括：?

襯底，所述襯底具有至少一第一埋層窗口和至少一第二埋層窗口；?

阻擋層，位于所述第一埋層窗口上；?

保護(hù)層，位于所述阻擋層旁的所述襯底上；?

中間層，位于所述第一外延層上，所述保護(hù)層的上表面和所述阻擋層的上表面的相接處具有一第一臺階差，所述第一臺階差形成一對比窗口；?

外延層，位于所述阻擋層和所述保護(hù)層以外的所述襯底上，所述外延層具有所述第二埋層窗口經(jīng)外延生長后的外延窗口。?