[實(shí)用新型]一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220581514.7 | 申請(qǐng)日： | 2012-11-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN203134809U | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 田宗民;閻長(zhǎng)江;謝振宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/786 | 分類號(hào)： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 王黎延;張振偉 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管，包括柵極、有源層以及位于柵極和有源層之間的柵極絕緣層，其特征在于，所述柵極絕緣層和有源層之間還設(shè)置有晶體材料薄膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述晶體材料薄膜層為透明導(dǎo)電材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料包括有銦錫氧化物、銦鋅氧化物、石墨烯、和單壁碳納米管中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述晶體材料薄膜層的圖形大于等于有源層的圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：設(shè)置于基板上的柵極、設(shè)置于柵極上的柵極絕緣層、設(shè)置于有源層上的阻擋層、設(shè)置于有源層和阻擋層上的源漏極、設(shè)置于阻擋層和源漏極上的鈍化層；
所述晶體材料薄膜層位于所述柵極絕緣層之上，所述有源層位于所述晶體材料薄膜層之上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：基板、設(shè)置于基板上的源漏極、設(shè)置于基板和源漏極上的有源層、設(shè)置于有源層上的柵極絕緣層，以及設(shè)置于柵極絕緣層之上的柵極；
所述晶體材料薄膜層位于所述柵極絕緣層之下，所述有源層位于所述晶體材料薄膜層之下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述晶體材料薄膜層的厚度為400～500埃米。
8.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求8所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
