[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體集成晶體管的封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220580520.0
• 申請(qǐng)日: 2012-11-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202940228U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李勇昌;彭順剛;鄒鋒;王常毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桂林斯壯微電子有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種半導(dǎo)體集成晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，包括由上模型腔槽和下模型腔槽相對(duì)扣壓所形成的塑封體（1），該塑封體（1）上開(kāi)設(shè)有供半導(dǎo)體集成晶體管的引腳（2）引出的引腳孔；其特征在于：上述塑封體（1）的長(zhǎng)度為2.9毫米，寬度為1.5毫米，高度為0.9毫米。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體集成晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述塑封體（1）長(zhǎng)度的上偏差為0.2毫米，下偏差為0.1毫米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體集成晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述塑封體（1）寬度的上偏差為0.1毫米，下偏差為0.1毫米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體集成晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述塑封體（1）高度的上偏差為0.1毫米，下偏差為0.1毫米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體集成晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述引腳孔位于塑封體（1）高度的1/3處。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體集成晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上模型腔槽和下模型腔槽的深度比為6：3。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體集成晶體管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述上模型腔槽和下模型腔槽各為一梯形體。