[實用新型]一種FINFET以及采用該FINFET的反相器

有效

• 申請號: 201220575622.3
• 申請日: 2012-11-01
• 公開（公告）號: CN202930389U
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 王釗
• 申請（專利權）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H03K17/687
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 戴薇

1.一種FINFET，其特征在于，其包括源極、柵極、漏極和偏置極，

所述源極和漏極形成于襯底上且在源極和漏極之間形成有溝道區域，在所述溝道區域的外側形成有柵氧層，所述柵極和所述偏置極形成于所述柵氧層的外側，并且所述柵極和所述偏置極間隔有一定的距離。

2.根據權利要求1所述的FINFET，其特征在于，所述柵極位于所述柵氧層的一側，所述偏置極位于所述柵氧層的另一側，所述柵極的一端與襯底相連，所述偏置極的一端與襯底相連，所述柵極的另一端與所述偏置極的另一端相互隔離。

3.根據權利要求1所述的FINFET，其特征在于，所述柵氧層為U型并半環繞所述溝道區域，所述柵氧層的兩端與所述襯底相接。

4.根據權利要求1所述的FINFET，其特征在于，所述柵極由多晶硅構成或者由金屬構成，所述柵氧層由二氧化硅構成，所述襯底由絕緣材料構成。

5.根據權利要求1所述的FINFET，其特征在于，所述FINFET為P型FINFET，所述源極和漏極都為P+有源區，所述溝道區域為N型半導體材料，所述偏置極上的偏置電壓大于或者等于所述源極上的電壓。

6.根據權利要求1所述的FINFET，其特征在于，所述FINFET為N型FINFET，所述源極和漏極都為N+有源區，所述溝道區域為P型半導體材料，所述偏置極上的偏置電壓小于或者等于所述源極上的電壓。

7.根據權利要求1所述的FINFET，其特征在于，所述柵極與柵氧層重疊的面積小于所述偏置極與柵氧層重疊的面積。

8.一種反相器，其特征在于，其包括依次串聯于電源電壓和地之間中的如權利要求5所述的P型FINFET和如權利要求6所述的N型FINFET，P型FINFET的柵極和N型FINFET的柵極與所述反相器的輸入端相連；P型FINFET的漏極和N型FINFET的漏極連接的節點作為所述反相器的輸出端，P型FINFET的偏置極連接的第一偏置電壓大于其源極上的電壓，N型FINFET的第二偏置極連接的第二偏置電壓小于其源極上的電壓。

9.根據權利要求8所述的反相器，其特征在于，所述第一偏置電壓由開關電容的電荷泵或基于電感的開關型升壓電壓產生電路提供，所述第二偏置電壓由開關電容的電荷泵或基于電感的開關型負電壓產生電路提供。