[實(shí)用新型]具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220568170.6 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202837224U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金建東;鄭麗;齊虹;李玉玲;王平;王明偉;田雷;司良有;王成楊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十九研究所 |
| 主分類號(hào): | G01N27/22 | 分類號(hào): | G01N27/22 |
| 代理公司: | 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
| 地址: | 150001 黑龍*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 微米 網(wǎng)格 多孔 電極 電容 高分子 濕度 傳感器 | ||
1.具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器,它包括襯底(1)和濕敏電容薄膜,濕敏電容薄膜包括下電極(4)、電介質(zhì)層(5)和電介上電極(6);其特征在于,所述電介上電極(6)為微米網(wǎng)格狀多孔電極,所述多孔為陣列式排布的通透孔,下電極(4)包括過(guò)渡的金屬薄層和金薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器,其特征在于,它還包括絕緣層,襯底(1)為單晶硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器,其特征在于,襯底(1)為無(wú)堿玻璃基片。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器的,其特征在于,所述絕緣層包括二氧化硅層(2)和氮化硅層3。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器的,其特征在于,所述二氧化硅層(2)的厚度為2000A~3000A,所述氮化硅層3的厚度為1000A~1500A。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器,其特征在于,所述的過(guò)渡的金屬薄層為鉻薄層或鈦薄層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器,其特征在于,所述金薄膜的厚度為1~1.5μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器,其特征在于,電介質(zhì)層(5)為高分子濕敏材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有微米網(wǎng)格狀多孔電極的電容式高分子濕度傳感器,其特征在于,所述電介上電極(6)為整體厚度為0.5~1μm的金屬薄膜,所述網(wǎng)格狀多孔的孔隙的直徑和線條寬度在微米數(shù)量級(jí),所述孔隙的直徑的范圍為1μm~4μm,所述線條寬度的范圍為1μm~4μm。
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