[實(shí)用新型]與射頻收發(fā)器結(jié)合使用的發(fā)送/接收開關(guān)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220558053.1 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203135863U | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李拜恩;阿里·阿夫薩基 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 美國博通公司 |
| 主分類號(hào): | H04B1/40 | 分類號(hào): | H04B1/40 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 田喜慶 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 射頻 收發(fā) 結(jié)合 使用 發(fā)送 接收 開關(guān) | ||
1.一種與射頻收發(fā)器結(jié)合使用的發(fā)送/接收開關(guān),所述發(fā)送/接收開關(guān)包括:?
第一晶體管電路,響應(yīng)于表示發(fā)送狀態(tài)的發(fā)送使能信號(hào)將所述射頻收發(fā)器的功率放大器耦接至天線端口;?
第二晶體管電路,響應(yīng)于表示所述發(fā)送狀態(tài)的發(fā)送使能信號(hào)將低噪聲放大器輸入耦接至第一地線;以及?
包括第一二極管的靜電放電電路,被并聯(lián)耦接至所述第二晶體管電路。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)送/接收開關(guān),其中,所述靜電放電電路包括將所述低噪聲放大器輸入耦接至電源電壓的第二二極管。?
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)送/接收開關(guān),其中,所述靜電放電電路包括耦接至所述第二二極管、將所述電源電壓鉗位至第二地線的電壓鉗。?
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)送/接收開關(guān),其中,所述低噪聲放大器輸入被感性耦接至所述天線端口,并且其中,所述射頻收發(fā)器的低噪聲放大器被容性耦接至所述低噪聲放大器輸入。?
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)送/接收開關(guān),其中,所述功率放大器產(chǎn)生差分輸出信號(hào),所述差分輸出信號(hào)經(jīng)由平衡-不平衡變壓器被轉(zhuǎn)換為單端輸出信號(hào)。?
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)送/接收開關(guān),其中,所述第一晶體管電路被容性耦接至所述單端輸出信號(hào)和所述天線端口。?
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)送/接收開關(guān),其中,所述第一晶體管電路包括三阱n溝道金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。?
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)送/接收開關(guān),其中,所述第一晶體管電路包括經(jīng)由相應(yīng)的多個(gè)晶體管而被浮置的多個(gè)晶體管節(jié)點(diǎn)。?
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)送/接收開關(guān),其中,所述第一晶體管電路響應(yīng)于表示接收狀態(tài)的所述發(fā)送使能信號(hào)將所述射頻收發(fā)器的所述功率放大器與所述天線端口解耦;以及?
其中,所述第二晶體管電路響應(yīng)于表示所述接收狀態(tài)的發(fā)送使能信號(hào)將所述低噪聲放大器輸入與所述第一地線解耦。?
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H04B 傳輸
H04B1-00 不包含在H04B 3/00至H04B 13/00單個(gè)組中的傳輸系統(tǒng)的部件;不以所使用的傳輸媒介為特征區(qū)分的傳輸系統(tǒng)的部件
H04B1-02 .發(fā)射機(jī)
H04B1-06 .接收機(jī)
H04B1-38 .收發(fā)兩用機(jī),即發(fā)射機(jī)和接收機(jī)形成一個(gè)結(jié)構(gòu)整體,并且其中至少有一部分用作發(fā)射和接收功能的裝置
H04B1-59 .應(yīng)答器;發(fā)射機(jī)應(yīng)答機(jī)
H04B1-60 .無人中繼器的監(jiān)視





