[實用新型]十四管腳LED智能驅動芯片有效
| 申請號: | 201220557947.9 | 申請日: | 2012-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN202841659U | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發明(設計)人: | 牛停舉;王海;石成江;李寶花;譚麗麗 | 申請(專利權)人: | 山東歐龍電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H05B37/02 | 分類號: | H05B37/02 |
| 代理公司: | 濰坊正信專利事務所 37216 | 代理人: | 王秀芝 |
| 地址: | 261061 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 十四 管腳 led 智能 驅動 芯片 | ||
1.十四管腳LED智能驅動芯片,其特征在于,包括用于檢測可控硅調光器輸入的電壓信號的角度檢測電路,所述角度檢測電路連接有調光譯碼電路,所述調光譯碼電路連接MOSFET管開關信號控制電路;
所述角度檢測電路包括正端與所述芯片的第十管腳BLDR連接的比較器C1,所述比較器C1的負端接7.2V電平,所述比較器C1的輸出端串接延時器T1,所述比較器C1的正端與所述第十管腳BLDR之間連接有泄放支路,所述泄放支路與所述比較器C1和定時器T1組成的支路并聯,所述泄放支路與所述定時器T1同時連接所述調光譯碼電路中的緩沖器B1,所述緩沖器B1連接所述芯片的第十二管腳ASNS;
所述調光譯碼電路還包括比較器C2,所述比較器C2的正端接4.9V電平,所述比較器C2的負端同時連接比較器C3的正端和所述芯片的第十三管腳FLTR1,所述比較器C2的輸出端連接比較器C3的使能端,所述比較器C3的負端連接斜坡發生器RAMP?GEN,所述斜坡發生器RAMP?GEN可產生1~3V,5.9KHz的鋸齒波,所述比較器C3的輸出端同時連接所述芯片的第十四管腳DIM和所述MOSFET管開關信號控制電路;
所述MOSFET管開關信號控制電路包括控制器,所述控制器的第一輸出端連接所述芯片的第八管腳GATE;所述控制器的第二輸出端連接用檢查輸出電流大小的第十一管腳ISNS-TEST。
2.根據權利要求1所述的十四管腳LED智能驅動芯片,其特征在于,所述MOSFET管開關信號控制電路還包括正端與所述芯片的第一管腳COFF相連接的比較器C6,所述比較器C6的負端接1.276V電平,所述比較器C6的輸出端與所述控制器的輸出端分別連接鎖存器LATCH的S端和R端,所述鎖存器LATCH的Q端連接所述第八管腳GATE。
3.根據權利要求2所述的十四管腳LED智能驅動芯片,其特征在于,所述MOSFET管開關信號控制電路還包括與所述芯片的第九管腳VCC連接的電源檢測電路,所述電源檢測電路的輸出端與所述鎖存器LATCH的Q端分別連接與門G?3的兩個輸入端,所述與門G3的輸出端連接緩沖器B2,所述緩沖器B2連接所述第八管腳GATE。
4.根據權利要求1所述的十四管腳LED智能驅動芯片,其特征在于,所述調光譯碼電路與所述MOSFET管開關信號控制電路之間還連接有過壓保護及電流檢測電路和電流檢測反饋電路。
5.根據權利要求4所述的十四管腳LED智能驅動芯片,其特征在于,所述過壓保護及電流檢測電路包括場效應管FET2,所述場效應管FET2的柵極連接所述比較器C3的輸出端,所述場效應管FET2的漏極連接電阻R2,所述電阻R2連接750mV電平,所述場效應管FET2的漏極還連接電阻R3,所述電阻R3同時連接所述電流檢測反饋電路和所述芯片的第三管腳FLTR2;所述場效應管FET2的柵極還連接有三極管T1的基極,所述三極管T1的集電極連接比較器C7的負端,所述比較器C7的輸出端連接用于溫度測試的第十一管腳TEMP-TEST。
6.根據權利要求5所述的十四管腳LED智能驅動芯片,其特征在于,所述電流檢測反饋電路包括負端與所述電阻R3連接的比較器C4,所述比較器C4的正端連接比較器C5的正端,所述比較器C5的負端連接1.27V電平,所述比較器C4的正端和比較器C5的正端共同連接所述芯片的第七管腳ISNS,所述比較器C4和比較器C5的輸出端均連接所述控制器。
7.權利要求1所述的十四管腳LED智能驅動芯片,其特征在于,所述泄放支路包括同時連接所述第十管腳BLDR和所述比較器C1的正端的電阻R1,所述電阻R1連接場效應管FET1的漏極,所述場效應管FET1的柵極同所述定時器T1同時連接所述緩沖器B1。
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