[實用新型]一種薄膜場效應晶體管、移位寄存器、顯示面板及裝置

有效

• 申請號: 201220557518.1
• 申請日: 2012-10-26
• 公開（公告）號: CN203134808U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 李付強;陳小川;薛海林
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G09G3/36
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 孟桂超;張穎玲

1.一種薄膜場效應晶體管，包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，所述源極和漏極分別呈梳狀且相互交叉排列，與所述柵極形成多個并聯的子薄膜場效應晶體管，其特征在于，所述薄膜場效應晶體管還包括：與所述柵極同層設置且互相絕緣的輔柵極；其中，?

相互交叉排列的源極和漏極與所述輔柵極的投影區域相互交疊，與所述輔柵極形成至少一個子薄膜場效應晶體管。?

2.根據權利要求1所述的薄膜場效應晶體管，其特征在于，所述輔柵極加電后，所述源極、漏極、所述輔柵極形成的至少一個子薄膜場效應晶體管與所述源極、漏極、所述柵極形成的多個并聯的子薄膜場效應晶體管為相互并聯的電連接。?

3.根據權利要求1或2所述的薄膜場效應晶體管，其特征在于，所述薄膜場效應晶體管為底柵類型的薄膜場效應晶體管時，所述薄膜場效應晶體管由下至上的膜層結構依次為同層設置的柵極和輔柵極、柵極絕緣層、有源層、相互交叉排列的源漏極。?

4.根據權利要求3所述的薄膜場效應晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層和有源層延伸至所述輔柵極的上方投影區域；其中，所述輔柵極至少為一個。?

5.根據權利要求1或2所述的薄膜場效應晶體管，其特征在于，所述薄膜場效應晶體管為頂柵類型的薄膜場效應晶體管時，所述薄膜場效應晶體管由上至下的膜層結構依次為同層設置的柵極和輔柵極、柵極絕緣層、有源層、相互交叉排列的源漏極。?

6.根據權利要求5所述的薄膜場效應晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層和有源層延伸至所述輔柵極的下方投影區域；其中，所述輔柵極至少為一個。?

7.一種移位寄存器，其特征在于，所述移位寄存器包括如權利要求1至6任一項所述的薄膜場效應晶體管。?

8.根據權利要求7所述的移位寄存器，其特征在于，所述薄膜場效應晶體管的柵極和輔柵極分別連接不同的電信號。?

9.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求7或8所述的移位寄存器。?

10.一種顯示裝置，包括如權利要求9所述的顯示面板。?