[實用新型]薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號： | 201220556865.2 | 申請日： | 2012-10-26 |
| 公開（公告）號： | CN203055919U | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 楊海鵬 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種薄膜晶體管，包括：有源層；刻蝕阻擋層，覆蓋于所述有源層之上；源電極和漏電極，位于所述刻蝕阻擋層之上；其特征在于，?
所述刻蝕阻擋層上設置有圓形過孔和圍在所述圓形過孔外圍的U形過孔，所述U形過孔的曲率圓心和所述圓形過孔的圓心相重合；?
所述源電極通過所述U形過孔與下層的所述有源層連接，所述漏電極通過所述圓形過孔與下層的所述有源層連接。?
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，?
所述有源層為銦鎵鋅氧化物薄膜層。?
3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，?
所述U形過孔的圓心角小于等于180度。?
4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，?
所述U形過孔的圓心角為180度。?
5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，?
所述刻蝕阻擋層為硅氧化物薄膜層，或者硅氮化物薄膜層。?
6.一種陣列基板，其特征在于，設置有權利要求1所述的薄膜晶體管。?
7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，?
所述有源層為銦鎵鋅氧化物薄膜層。?
8.根據權利要求6或7所述的陣列基板，其特征在于，?
所述U形過孔的圓心角小于等于180度。?
9.一種顯示裝置，其特征在于，設置有權利要求6或7所述的陣列基板。?
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