[實(shí)用新型]發(fā)光二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220550115.4
• 申請日: 2012-10-25
• 公開（公告）號: CN203038976U
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃世耀;宋健民;甘明吉
• 申請（專利權(quán)）人: 錸鉆科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/48
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周長興

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型是關(guān)于一種發(fā)光二極管，尤其指一種具有球面外型封裝樹脂的發(fā)光二極管。

背景技術(shù)

自60年代起，發(fā)光二極管(Light?Emitting?Diode，LED)的耗電量低及長效性的發(fā)光等優(yōu)勢，已逐漸取代日常生活中用來照明或各種電器設(shè)備的指示燈或光源等用途。更有甚者，發(fā)光二極管朝向多色彩及高亮度的發(fā)展，已應(yīng)用在大型戶外顯示廣告牌或交通號志，顯示其可應(yīng)用的領(lǐng)域十分廣泛。

由于發(fā)光二極管通常需經(jīng)由樹脂封裝才能使其能于一般環(huán)境下使用而不致發(fā)生短路，因此，封裝樹脂的結(jié)構(gòu)直接影響該發(fā)光二極管的出光效率。一般而言，考慮封裝后的發(fā)光二極管的出光率，封裝樹脂于發(fā)光二極管芯片外形成一半球狀構(gòu)造，發(fā)光二極管能獲得最佳的出光率。然而，因考慮封裝樹脂的透光度，所選用的封裝樹脂通常較難以在單獨(dú)使用的情況下，較佳地封裝該發(fā)光二極管芯片。為解決此一問題，公知封裝方式通常于欲封裝的發(fā)光二極管芯片周邊，先利用一硅膠形成一「圍墻」，接著，再以封裝樹脂注入該圍墻中以封裝發(fā)光二極管，達(dá)到較佳地封裝發(fā)光二極管芯片的目的。然而，由于用以制作圍墻的硅膠所需組成與封裝樹脂的組成差異過大，往往，所形成的圍墻呈現(xiàn)不透光的乳白色狀，對于該發(fā)光二極管的出光率影響甚大。此外，以此方式所形成的封裝樹脂仍無法呈現(xiàn)半球狀構(gòu)造，無法使發(fā)光二極管達(dá)到最佳的出光率。

據(jù)此，發(fā)展一不須使用硅膠形成圍墻，且能使封裝樹脂形成一半球狀的構(gòu)造，對于封裝發(fā)光二極管的工藝及改善發(fā)光二極管的出光率是有其需要的。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種發(fā)光二極管，以改進(jìn)公知技術(shù)中存在的缺陷。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的發(fā)光二極管，包括：

一發(fā)光二極管芯片，其設(shè)置于一電路載板表面，并發(fā)射出一光源；以及

一封裝樹脂，設(shè)置于該發(fā)光二極管芯片上，以封裝該發(fā)光二極管芯片，其中，該封裝樹脂具有一球面外型。

所述的發(fā)光二極管，其中該封裝樹脂由一封裝模板以控制該封裝樹脂的外型，并將該封裝模板于封裝完成后移除。

所述的發(fā)光二極管，其中該封裝模板包括一基板，其具有一上表面及一下表面；以及至少一通孔，該通孔具有一內(nèi)截面，并由該基板的該上表面連通至該下表面。

所述的發(fā)光二極管，其中該封裝模板為不銹鋼、模具鋼、強(qiáng)化塑料或鋁合金。

所述的發(fā)光二極管，其中該封裝模板的表面具有一離型層，該離型層系至少一選自由鐵氟龍、離型臘、氧化鋁、碳酸鈣、碳酸鎂、或其組合所組成的群組。

所述的發(fā)光二極管，其中該通孔為一圓柱通孔或一半球面通孔。

所述的發(fā)光二極管，其中該圓柱通孔的內(nèi)截面直徑為該基板厚度的兩倍。

所述的發(fā)光二極管，其中該半球面通孔包括一半球面凹槽及一注膠凹槽組成。

所述的發(fā)光二極管，其中該半球面凹槽設(shè)置于該基板的上表面，該注膠凹槽設(shè)置于該基板的下表面；或該半球面凹槽設(shè)置于該基板的下表面，該注膠凹槽設(shè)置于該基板的上表面。

所述的發(fā)光二極管，其中該注膠凹槽為一錐狀外型。

所述的發(fā)光二極管，其中該封裝模板包括至少一排氣凹槽，該排氣凹槽與該通孔相連通，并位于該基板的該下表面。

所述的發(fā)光二極管，其中該封裝樹脂具有一圓柱狀外型的側(cè)面。

本實(shí)用新型提供的發(fā)光二極管中，用于封裝發(fā)光二極管芯片的封裝樹脂不需使用硅膠形成圍墻即可達(dá)到封裝發(fā)光二極管的目的，并且該封裝樹脂還具有一球面外型的結(jié)構(gòu)，更能提高所封裝的發(fā)光二極管的出光率。

附圖說明

圖1A至1C是本實(shí)用新型發(fā)光二極管的封裝模板示意圖。

圖2A至2D是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝流程示意圖。

圖3A至3D是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝流程示意圖。

圖4A至4D是本實(shí)用新型第三實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝流程示意圖。

圖5A至5C是本實(shí)用新型發(fā)光二極管的封裝模板示意圖。

附圖中主要組件符號說明：

封裝模板1、11、12、12’、13、14、15；

基板110、120、120’；

上表面111、121、121’；

下表面112、122、122’；

圓柱通孔113、133、153；

內(nèi)截面114；

半球面通孔123、123’、143、153’；

半球面凹槽1231、1231’、1431；

注膠凹槽1232、1232’、1432；

發(fā)光二極管20、30、40；

發(fā)光二極管單元2、3、4；