[實用新型]用于電流傳感器的磁電阻集成芯片

有效

• 申請號: 201220547975.2
• 申請日: 2012-10-24
• 公開（公告）號: CN203011980U
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 王建國
• 申請（專利權）人: 無錫樂爾科技有限公司
• 主分類號: G01R15/00
• 分類號: G01R15/00;G01R19/00
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 張文祎

1.用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，該磁電阻集成芯片包括4N個結構相同的芯片單元，N=1,2,3,4…，每一個所述芯片單元為多層膜結構，每一個所述芯片單元包括補償導線層、磁電阻元件和至少一個軟磁層；?

所述補償導線層、所述磁電阻元件和所述軟磁層彼此之間的間隙設有絕緣層，所述絕緣層的形狀與所述補償導線層、所述磁電阻元件和所述軟磁層的形狀匹配；?

所述4N個芯片單元的補償導線層是一體形成的，該補償導線層在平行于基片的平面內呈“U”字形；?

所述4N個芯片單元的磁電阻元件相同，所述4N個芯片單元的磁電阻元件連接構成一個電橋。?

2.根據權利要求1所述的用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，所述至少一個軟磁層為第一軟磁層、第二軟磁層和第三軟磁層，所述第二軟磁層、所述第三軟磁層和所述磁電阻元件設于基片上，所述磁電阻元件設于所述第二軟磁層與所述第三軟磁層之間的間隙內，所述磁電阻元件的厚度小于所述第二軟磁層和所述第三軟磁層的厚度，所述補償導線層設于所述第二軟磁層和所述第三軟磁層上，所述第一軟磁層設于補償導線層上。?

3.根據權利要求2所述的用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，所述第二軟磁層和第三軟磁層在平行于基片的平面內呈矩形。?

4.根據權利要求2所述的用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，所述第二軟磁層和第三軟磁層在平行于基片的平面內呈梯形，且第二軟磁層和第三軟磁層的較短的邊靠近磁電阻元件。?

5.根據權利要求2所述的用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，所述第一軟磁層在垂直于基片的平面內呈“U”字形，且所述第一軟磁層的開口端朝向所述補償導線層、所述第二軟磁層和所述第三軟磁層。?

6.根據權利要求1所述的用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，所述軟磁層包括第一底軟磁層、第二底軟磁層、頂軟磁層、第一連接層和第二連接層；?

所述第一底軟磁層和所述第二底軟磁層設于基片上，且所述第一底軟磁層與第二底軟磁層之間設有間隙，所述第一底軟磁層通過所述第一連接層與所述頂軟磁層連接，所述第二底軟磁層通過所述第二連接層與所述頂軟磁層連接，所述軟磁層在垂直于基片的平面內呈帶缺口的環形；?

所述磁電阻元件設于所述第一底軟磁層與所述第二底軟磁層之間的間隙內，且所述磁電阻元件的厚度小于所述第一底軟磁層和所述第二底軟磁層的厚度；?

所述補償導線層設于所述第一底軟磁層和所述第二底軟磁層上，所述頂軟磁層設于所述補償導線層上。?

7.根據權利要求6所述的用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，所述第一底軟磁層和所述第二底軟磁層在平行于基片的平面內呈矩形。?

8.根據權利要求6所述的用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，所述第一底軟磁層和所述第二底軟磁層在平行于基片的平面內呈梯形，且所述第一底軟磁層和所述第二底軟磁層的較短的邊靠近所述磁電阻元件。?

9.根據權利要求1所述的用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，當N≥2時，所述磁電阻集成芯片的任意N個芯片單元的磁電阻元件串聯和/或并聯構成所述電橋的一個橋臂。?

10.根據權利要求1所述的用于電流傳感器的磁電阻集成芯片，其特征在于，所述磁電阻元件為TMR元件、GMR元件或AMR元件。?